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　　2026年3月10日，IBM和泛林集团（Lam Research Corporation）正式宣布达成合作协议，双方将携手开发新型工艺与材料，以支撑

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　　对于广大数码硬件爱好者而言，IBM的名字早已耳熟能详，但对泛林集团可能相对陌生，下面小编就为大家简要介绍这家行业巨头：

　　泛林集团总部坐落于美国加利福尼亚州弗里蒙特市，是一家跻身《财富》500强的半导体巨头。作为全球领先的半导体晶圆制造设备及服务供应商，其核心设备与专业服务能够助力客户制造出更小、更高效、更可靠的半导体器件，目前全球几乎所有先进芯片的生产过程，都离不开泛林集团的技术支持。

　　IBM与泛林集团的合作并非首次，双方早已是深耕多年的老伙伴，至今已拥有长达十余年的成功合作积淀。在此之前，两家企业便携手攻克了7纳米架构、EUV（极紫外光刻）工艺等多项关键技术难题，IBM在2021年推出的全球首款2纳米节点芯片，正是得益于双方的深度协作。

　　此次双方达成的为期五年的全新合作协议，将重点聚焦于新型材料研发、先进制造工艺创新以及高数值孔径（High-NA）极紫外光刻（EUV）工艺的联合攻关，以此推动IBM逻辑制程扩展路线图的稳步推进。

　　此次合作的核心重点主要包括三个方面：1. 研发适配亚1纳米制程的新型材料，突破现有材料性能瓶颈；2. 针对日益复杂的半导体器件架构，打造先进的刻蚀与沉积技术能力，满足高精度制造需求；3. 开发新型High-NA EUV光刻工艺，实现下一代芯片互连与器件图案化的技术突破，并推动该工艺在产业界的快速普及与应用。

　　IBM半导体与混合云研究副总裁、IBM半导体总经理Mukesh Khare表示：

　　“泛林集团十余年来一直是IBM在半导体领域的关键合作伙伴，为逻辑制程缩放及器件架构的重大突破——包括纳米片技术的成熟应用以及全球首款2纳米节点芯片的问世，做出了不可或缺的重要贡献。我们非常荣幸能够进一步扩大合作范围，与泛林集团携手应对High-NA EUV光刻及亚1纳米节点研发过程中面临的下一阶段核心挑战。”

　　“随着半导体产业进入3D缩放的全新时代，技术进展的关键取决于如何将新型材料、先进工艺与光刻技术高效整合为高密度统一系统。我们很荣幸能在与IBM长期成功合作的基础上，持续推动High-NA EUV干式光刻胶及相关工艺的技术突破，加速研发适用于AI时代的低功耗、高性能半导体晶体管，为产业发展注入新动能。”

　　此次合作将主要在IBM位于纽约州奥尔巴尼的NY Creates 奥尔巴尼纳米科技综合园区内开展，同时充分依托泛林集团的端到端工艺设备与创新技术，包括其核心的Aether干式光刻胶技术、Kiyo®与Akara刻蚀平台、Striker®与ALTUS Halo沉积系统，以及先进封装技术。

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　　双方将组建专属联合团队，构建并全面验证纳米片及纳米堆栈器件、背面供电技术的完整工艺流程。这些核心能力旨在确保High-NA EUV图案能够以高良率、高可靠性转移至实际器件层，进而实现逻辑制程的持续缩放、芯片性能的显著提升，并为未来亚1纳米逻辑器件提供切实可行的量产解决方案。