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三星先进制程取得突破:2纳米良率突破60%目标2030年导入1纳米!
发布于 2026-04-04 22:54 阅读()
近期,三星电子在半导体先进制程领域取得重要进展。综合多家媒体报道,该公司2纳米制程良率已突破60%,同时确立了2030年前完成1纳米制程开发并转入量产的目标,全球晶圆代工市场竞争格局持续演变。
据韩国《韩国经济日报》援引业内消息人士报道,三星电子晶圆代工部门2纳米制程良率目前最高已超过60%。这一数字较2025年下半年的约20%实现显著提升,在短短两个季度内增长两倍以上。
良率提升意味着每片晶圆产出的可用芯片数量增加,直接压缩单位成本,并增强了三星在晶圆代工市场中的议价能力。行业观察人士指出,台积电2纳米工艺良率目前在60%至70%之间,三星已与行业龙头基本持平。
在产能利用率方面,三星晶圆代工业务2026年第一季度已攀升至80%区间,创下逾一年以来的最高水平。复苏主要集中在韩国平泽园区的P2和P3生产线纳米先进制程芯片的生产。
在更先进的制程节点上,三星电子晶圆代工业务部门已制定计划,力争在2030年前完成1纳米半导体工艺的研发并投入量产。1纳米技术被视为“梦想创新工艺”,意味着半导体芯片中负责数据处理的元件宽度理论上可缩小至1纳米。
技术架构方面,三星计划在1纳米制程中引入“叉片”(forksheet)晶体管结构。这是对现有全环绕栅极(GAA)技术的进一步演进——GAA技术通过将电流路径从传统三边扩展到四边,有效提升了功耗效率;而叉片结构在此基础上,通过在GAA晶体管之间构建电绝缘壁,进一步缩小晶体管间距,从而在相同芯片面积内容纳更多元件。
值得注意的是,市场龙头台积电同样计划在2030年后将叉片结构引入1纳米工艺,这意味着三星有望在关键技术路线上与行业龙头实现同等技术竞争。
在客户结构方面,三星已与特斯拉签订价值约165亿美元的AI芯片供应合同。此外,市场消息显示高通与AMD有望成为2纳米晶圆的潜在大客户,目标节点包括SF2及升级版SF2P。
三星并非唯一押注1纳米技术的晶圆代工厂商。据《日经XTech》报道,日本半导体制造商Rapidus首席技术官表示,公司目标是在1纳米节点将与台积电的技术差距缩短至约六个月。Rapidus计划于2026年启动1.4纳米半导体制造技术的研发,量产目标定在2029年前后。
台积电方面进度则更为领先。据媒体报道,台积电1纳米制程有望率先在中部科学园区落地,首座晶圆厂预计最快于2027年底完成试产,并于2028年下半年转入量产。若台积电时间表如期推进,将较三星领先约两年。
良率的突破直接提振了市场对三星代工业务的信心。据业内人士分析,三星晶圆代工部门自2022年以来持续录得以万亿韩元计的亏损,但随着先进制程良率改善及新订单到位,外界普遍预期其晶圆代工业务有望在今年实现盈利。
KB证券最新研究报告预计,随着特斯拉AI芯片供货规模扩大、产能利用率提升,三星晶圆代工业绩预计将在2027年由亏损转为盈利。返回搜狐,查看更多
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