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　　穿越产业周期、扛住短期波动，微导纳米（688147.SH）用一份扎实的成绩单，完成从“光伏技术专家”向国产高端半导体薄膜沉积装备核心力量的实质性跨越。当期半导体设备收入贡献超过30%，市场看到的不仅是一家企业的业务结构调整，更是中国半导体装备国产化进程中的一次关键节点的到来。

　　2025年，微导纳米实现营业总收入26.33亿元，归母净利润2.19亿元。其中半导体设备收入8.81亿元，同比大增169.12%，占主营业务收入的比重从2024年的12.14%大幅跃升至33.49%。

　　进入2026年，这一战略转型在短期财务表现上呈现出鲜明的投入期特征。微导纳米坚定推进半导体设备国产化并巩固新一代光伏电池技术领先优势，持续保持高强度研发投入——一季度研发投入合计1.17亿元，同比大增72.88%，研发投入占营业收入比例高达24.24%，较上年同期增加近11个百分点，为穿越行业周期提供了坚实的技术保障。

　　数据背后，折射出战略转变的深刻回响。从业务结构来看，微导纳米正主动优化业务布局。尽管2025年光伏设备收入占营业收入比重仍达60.38%，但半导体设备收入占比已从2022年的6.87%一路快速攀升至33.49%。这意味着微导纳米的半导体业务正进入规模化收获期。从单点突破到全薄膜沉积技术平台的打造，微导纳米走得稳而快，凭借在ALD与CVD技术领域的深厚积累，已成为国内半导体薄膜沉积领域的核心企业之一。

　　在半导体设备国产化的浪潮中，微导纳米从来不甘于只做“替代者”的角色，而是致力于在核心技术领域跑出加速度，实现自主引领。

　　微导纳米的半导体业务进展可以用突飞猛进来形容。具体来看，多款原子层沉积（ALD）专用设备和化学气相沉积（CVD）专用设备获得重点客户验证及量产导入；核心产品High-k、金属化合物、硬掩模等新一代工艺专用设备的量产规模持续扩大，新产品与新技术市场渗透率稳步提升。

　　事实上，微导纳米在半导体集成电路领域的ALD技术突破由来已久。早在2020年，微导纳米就已获得ALD设备订单，产品覆盖半导体集成电路前道工艺所需的高介电常数栅氧层ALD工艺需求，填补了该领域国产设备的空白。此后，微导纳米持续拓展工艺覆盖范围，逐步构建起面向逻辑芯片、存储芯片及先进封装的金属化、掩膜、介质层、图案化等关键工艺解决方案，实现了多项重要突破。

　　时至今日，微导纳米研发生产的半导体集成电路专用ALD设备已全面涵盖行业所需主流ALD薄膜材料及工艺，并在效率提升上不断突破。2025年，微导纳米成功开发了空间ALD设备，实现多片同时工艺，有效解决了传统ALD的产能瓶颈问题；同时，为适配新型芯片复杂器件结构与低温高质量薄膜工艺需求，又研发了多站型 PEALD设备，显著提升工艺效率并降低制造成本，满足多种应用场景。

　　在CVD技术方面，微导纳米2025年年报显示，其适用于高温领域的CVD设备已通过客户批量验收，形成规模化量产能力，并持续获得批量订单，成为微导纳米薄膜沉积技术体系的重要支撑。当下，微导纳米正在进一步拓展CVD技术的覆盖面，持续开发相关薄膜设备及工艺，多种硬掩模及介质材料CVD设备已导入客户端验证， CVD产品矩阵正进一步完善。

　　随着半导体设备业务实现重要突破并步入快速增长通道，新签订单规模屡创新高，为微导纳米积累了充足的订单储备。这一成果得益于其在存储、逻辑及先进封装等关键领域的纵深布局与产品竞争力。

　　在存储领域，微导纳米作为国内ALD与高端CVD设备的主要供应商，相关专用设备产品已广泛应用于国产存储芯片量产产线。在逻辑芯片领域，与国内主流厂商保持稳定合作，多款设备已通过客户严格的技术验证，关键指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术需求以及未来技术更迭的需要，部分产品已成功导入到多个领先厂商的量产产线。在先进封装领域，相关设备已在客户端进行验证，并与多家潜在客户开展技术交流。

　　面对持续攀升的订单需求，微导纳米积极推进产能建设。2025年8月，发布可转债发行计划，拟募集资金不超过11.7亿元，其中6.43亿元用于“半导体薄膜沉积设备智能化工厂建设”，项目建成后预计每年可新增销售收入约15.65亿元；2.27亿元用于“研发实验室扩建”，以确保前沿技术能够快速转化为可量产、高稳定性的产品，为微导纳米的长期稳健发展夯实基础。

　　微导纳米始终保持高强度研发投入。近四年，半导体领域研发投入复合增长率达53.6%。公司累计有效专利250项，并持续提升技术优势与核心工艺竞争力。

　　展望未来，微导纳米的战略路径清晰而明确：持续聚焦半导体高端薄膜沉积设备，深化在存储、逻辑、先进封装等核心应用领域的布局，以ALD与CVD等多种技术平台为支撑，紧抓国产化进程加速和AI驱动的产业机遇。

　　从行业视角来看，国产替代正步入加速期。据半导体行业协会最新数据，国内半导体设备国产替代率已从2025年的25%提升至35%，其中刻蚀机、薄膜沉积等核心设备替代率突破40%。根据S型增长曲线，国产化已进入核心爬坡段。与此同时，随着3D NAND和3D DRAM层数持续增加，ALD技术凭借其原子级膜厚控制和优异的三维覆盖能力，需求持续攀升。在AI浪潮推动下，逻辑、存储及先进封装技术的快速发展，薄膜沉积设备作为半导体制造的底层骨架，有望持续受益。

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