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高端晶片:华为换赛道美国制裁、西方光刻机卡脖不灵了!
发布于 2026-05-28 10:46 阅读()
众所周知,在1.4纳米、3纳米、5纳米等高端晶片制造上,中国被西方卡脖的关键技术设备当数荷兰的光刻机。在摩尔定律的制造规程上,依靠晶体管几何微缩而制造高算力芯片的道路,已经逼近了原子尺度的极限。沿着这条技术道路演进下去,高端晶片制造的性价比几乎进入死胡同。在这条赛道上,中国被西方技术卡脖也是最难受的。比如,美国总是拿英特尔的H200芯片当作谈判的筹码,要挟中国满足它们的经贸条款。
但美国的这种技术要挟在华为的技术反制上已经不灵了。中国对西方光刻机的技术卡脖,在华为新的时间缩微赛道上将很快被清零。
据悉,中国科技巨头华为预计,到2031年将设计出晶体管密度达到1.4纳米制程的高端晶片。
华为星期一(5月25日)在2026国际电路与系统研讨会(ISCAS)正式提出“韬定律”。图为去年人工智能大会上华为的展台。(路透社档案照片)
5月25日,在2026国际电路与系统研讨会上,华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波在主旨演讲中,正式发表“韬 (τ)定律”,在全球半导体领域首次提出指导产业发展的新原则。
华为的新赛道以“时间缩微”替代“几何缩微”,通过逻辑折叠等创新技术,持续压缩信号传播时延,不断提升晶体管密度,实现半导体与电子系统的持续演进。
从技术上看,华为的“韬定律”实践探索构建了贯穿器件、电路、晶片到系统层面的多层级协同优化体系。预计到2031年,基于该定律的高端晶片晶体管密度将达到1.4纳米制程的同等水平。
彭博社报道称,如果华为能大规模生产采用1.4纳米制程的晶片,意味着它将打破业界普遍共识,即荷兰光刻机巨头阿斯麦(ASML)的先进极紫外(EUV)光刻机,是量产5纳米及更先进晶片所必需的设备。
在微电子领域,纳米是衡量晶片上晶体管尺寸的单位。晶体管越小,一块晶片上就能容纳越多晶体管。ASML的EUV光刻机则被视为缩小晶体管尺寸的关键设备。
据有关媒体盘点,摩尔定律是英特尔创始人之一戈登·摩尔于1965年提出的半导体发展经验法则。过去60多年,全球半导体产业的发展基本遵循摩尔定律,即通过不断缩小晶体管尺寸,在单位面积内集成更多晶体管,从而提升算力。
不过,当半导体制程进入7纳米以下后,晶体管尺寸已逼近原子尺度,继续依赖“几何微缩”提升性能,被认为正接近物理极限。
韬定律的不同之处,在于尝试以“时间微缩”替代“几何微缩”。它的核心目标是系统性降低时间常数“韬”(τ),通过持续压缩信号传播时延、缩短数据传输时间,在不大幅缩小晶体管尺寸的前提下提升晶片性能。
何庭波星期一发布于《中国科学:信息科学》、题为《多层电子系统的时间尺度理论》的论文中,对四个层级的优化方向作出阐述。
华为今年秋季发布的新一代麒麟手机晶片,将完整采用韬定律的“逻辑折叠”技术。这说明华为在它的新赛道上已经技术成熟了,可以自主引领这一赛道的未来发展,让中国在高端晶片的制造上不再受制于西方的技术封锁和美国的制裁要挟,实现了中国科技上的自立自强。
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