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纳米科学与技术-纳米材料的制备方法-wenkubcom!

发布于 2026-09-13 20:26 阅读(

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纳米科学与技术-纳米材料的制备方法-wenkubcom

  • 程序升温还原法 : 是指以氧化钼、烃和氢气混合物为原料,经程序升温,使氧化钼经历还原和碳化的反应,从而生成碳化钼。 • 在合适的条件下 , 纳米晶的晶界间发生溶合而消失 , 几个小的纳米晶形成一个大的晶 。 • 软模板控制聚苯胺的形貌 • 一)阳离子表面活性剂 • 利用十二烷基苯磺酸钠为结构指导剂,通过过硫酸铵引发苯胺聚合制备了十二烷基苯磺酸掺杂的聚苯胺亚微米管如图 塌陷 (A)和未塌陷 (B)的聚苯胺亚微米管的 SEM照片。 • 它是 利用各种具有一维形貌的模板来引导一维纳米结构的形成 , 如具有许多一维纳米孔道的材料以及碳纳米管等称为硬模板 。 • InP 顶部为金属粒子 • GaAs • 基于包敷作用的液相法 • 根据晶体生长动力学的观点 , 晶体形态取决于各晶面生长速度 , 快速生长的晶面 (界面能较高 )逐渐隐没 , 晶体表面逐渐为慢生长面 (界面能较低 )所覆盖 。 • • 液相 固相 (简称 SLS)生长机制: • 美国华盛顿大学 Buhro小组在低温下通过 SLS机制获得了高结晶度的半导体纳米线 ,如 InP、InAs、 GaAs纳米线 , 这种方法生长的纳米线为多晶或近单晶结构 , 纳米线的尺寸分布范围较宽 。 • 这种方式生长的 晶须 经常被解释为 以 不对称生长机制 、气固界面上的微观缺陷机制 、 自催化机制 。 通过控制催化剂的尺寸可以制备出大量的准一维纳米材料 。 (b)反映在 AuGe相图上的生长三阶段 。 (b) impurity is essential for whisker growth。 (f)减小一维微结构的尺寸 。 (b)引入一个 液 固界面来减少籽晶的对称性 , 如在VLS生长机制中的液滴所产生的限域 。 纳米带 (nanobeltnanoribbon):细长条带状纳米结构 , 长宽比 10, 一般宽厚比 3。 纳米纤维 (nanofiber)一般长径比 10:包括纳米丝(nanofilament), 纳米线 (nanowire) 和 纳 米 晶 须(nanowhisker) 。 化学镀 化学镀法是将能形成非晶态活性组分的金属盐与还原剂、缓释剂和载体一起混合,将活性组分还原在催化剂载体上的技术。 镍纳米线电极表面分布着直径为 70— 80nm的纳米线。 • 合成反应如下 :                      .622.4.4gHsS iCgHCgS iHgHsS iCgCHgS iHgHsNSigNHgS iH优势: 颗粒均匀 , 纯度高 , 粒度小 , 分散性好 , 化学反应活性高 , 工艺尺寸可控和过程连续 。    ][1][4444 S iHS iHKVdtdVS i HS i HRSi  316 NC o Md• 在反应过程中 , Si的成核速率大于 1014/cm3, 粒子直径可控制小于 10 nm。 • 螺旋生长理论 LICVD法 制备超细微粒的基本原理 : 利用 反应气体分子 (或光敏剂分子 )对特定波长激光束的吸收 , 引起反应气体分子 激光光解 (紫外光解或红外多光子光解 )、 激光热解 、 激光光敏化和激光诱导化学合成反应 , 在一定工艺条件下 (激光功率密度 、 反应池压力 、 反应气体配比和流速 、 反应温度等 ), 获得超细粒子空间成核和生长 。 当完成一个单层生长后 , 再开始生长另一个新的生长层则需要表面成核 , 而且 要更高的过饱和度 。 随着交角的增大 , 台阶的浓度也增大 , 而台地宽度相应减小 , 这些面称为 非奇异面 (或粗糙面 )。 对于不完善的晶面取向 , 存在各种形式的原子位置 , 高能原子位置的浓度愈高 , 表面能就愈大 , 与其它原子结合的活性也愈高 。 3. 成核现象 1. 晶体生长 并非从一开始就是 成晶粒子向完全确定的结晶学格点上附加 , 而总是经过 “ 成核 ” 这一过程 。 在棱阶上若干弯结位置 , 表面原子可以在弯结上 , 也可以在棱阶上 , 或者吸附在台地平面上 , 称为 附着原子 。 五、化学气相沉积的沉积机理 气-固转化晶体生长的过程可以归结为几个最重要的步骤: 1)原子或分子撞击到生长表面上; 2)被吸附或被反射回气相; 3)被吸附物之间发生表面反应形成 成晶粒子 ; 4)通过二维扩散迁移到适当晶格位置上并进入晶格。 C Si 3HCl + + H2 其它化学反应 1000~1050 C GaCl+NH3  GaN+HCl+H2 氧化反应 SiH4 325~475176。 740 ~850C Si(OC2H5)4 SiO2+H2O+4C2H4 金属有机化合物 630 ~675C Ga(CH3)3 +AsH3 GaAs+3CH4 氢化物和金属有机化合物体系 600C Pt(CO)2Cl2 Pt+2CO+Cl2 其它气态配合物 800 ~900C GaCl3•NH3 GaN+3HCl CH4 600~1000176。 热解化学气相沉积 热解化学气相沉积 是 指一般在简单的单温区炉中 ,于真空或惰性气氛下加热衬底至所需温度后 ,导入反应气体使之发生热分解 , 最后在衬底上沉积出纳米材料 。 如果采用某种基底材料 , 在沉积物达到一定厚度以后又容易与基底分离 , 这样就 可以得到各种特定形状的游离沉积物器具 。 最近几年 CVD技术在 纳米材料的制备 中也大显身手 , 成为一种有力的制备工具 。 20世纪 60年代 , John M Blocher Jr等首先提出Vapor Deposition, 根据过程的性质 (是否发生化学反应 )分为: PVD 和 CVD。 物理气相沉积( PVD):蒸发法、溅射法。将化学计量比的 Fe3+、 Co3+、 Ba2+、 Zn2+、 Cu2+的硝酸盐溶液混合,搅拌形成均匀褐色透明溶液,再将柠檬酸溶液按摩尔比 1: 11: 3缓慢地加入前面已制的溶液中,适当加热( 70℃ 90℃ )并搅拌,使形成均匀溶液,将氨水缓慢地加入上述配制的溶液中,使完全混合,直至溶液呈中性, PH=78,将配制好的溶液置于 100150℃ 烘箱中烘干,溶液形成黑褐色的干凝胶,然后将干凝胶在一定温度下进行热处理。 **** 加热源通常有以下几种: 不同的加热方法制备出的超微粒的量 、 品种 、 粒径大小及分布等存在一些差别 。 **** 爆炸丝法 这种方法 适用于工业上连续生产纳米金属 、 合金和金属氧化物纳米粉体 。 • 例如 , 在 400 Pa的 Ar气中 , 当电流为 400 A,SiC超微粒的收率为约 g/min。 • 棒状碳棒与 Si板 (蒸发材料 )相接触 , 在蒸发室内充有 Ar或 He气 , 压力为 l~10 KPa, 在碳棒与

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