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　　9月20日，长鑫科技（SH688825，股价55.54元，市值3.77万亿元）在2026世界制造业大会上宣布，公司第五代DRAM（动态随机存取存储器）技术平台（以下简称第五代平台）实现量产，同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR（低功耗双倍速率同步动态随机存储器）5X新品。

　　作为上市公司，长鑫科技同日晚间发布自愿性披露公告，在交易日前披露了这一进展。

　　据长鑫科技9月20日披露的《关于第五代工艺技术平台实现量产的自愿性披露公告》，公司始终坚持自主研发道路，并通过跳代研发策略加速技术创新，快速完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产迭代。

　　公告显示，公司于2026年8月29日披露的《2026年半年度报告》中提到，公司第五代工艺技术平台正在进行客户认证。2026年9月20日，公司在2026世界制造业大会上宣布，公司第五代工艺技术平台正式实现量产，并同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品。

　　公告指出，第五代工艺技术平台实现量产，有助于公司进一步丰富产品矩阵、提升核心竞争力、巩固市场地位。不过，截至公告披露日，公司基于第五代工艺技术平台的量产产品尚未形成规模销售，短期内不会对公司经营业绩产生重大影响。

　　公司同时提示，第五代工艺技术平台作为全新平台，良率爬坡需要一定的周期。公司基于第五代工艺技术平台的产品，尚未形成规模销售，新产品导入客户需经过验证与认证周期，市场拓展进度存在不确定性。

　　长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。自2016年成立以来，公司始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。公司采取“跳代研发”的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等产品覆盖和迭代升级。

　　公开资料显示，DRAM是现代信息技术和数字信息产业发展的重要基石，广泛应用于数据中心、移动设备及终端、通信、智能制造等领域。全球前三家DRAM厂商三星电子、SK海力士和美光科技长期占全球90%以上的市场份额。

　　2019年9月，公司推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现了中国DRAM产业突破。公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。根据Omdia的数据，按产能、出货量和销售额统计，公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商，全球市场份额已增至7.67%。

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　　据媒体报道，第五代平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术，长鑫科技把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。

　　公司副总裁骆晓东表示，作为全球存储产业的核心参与者，未来长鑫将继续紧跟全球市场需求，持续推进技术迭代，推出更多高性能、高可靠性的存储产品。

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