K8（凯发中国）凯发-天生赢家·一触即发

　　

　　光刻机一直是中国芯片之痛，原因就是某国一直阻止光刻机巨头ASML将先进的EUV光刻机卖给中国，由此导致中国利用现有的光刻机发展到7纳米之后，前进的难度异常大，为此中国一直试图自己研发先进的光刻机，或是发展新的芯片制造技术。

　　研发先进的光刻机不容易，因为光刻机本身就是一个庞大的产业链，即使是ASML也需要与全球5000多家企业合作，德国企业提供镜片，美国提供光学技术等等，由此ASML才能生产出高度精密的EUV光刻机。

　　中国如果发展EUV光刻机就得发展自己的光刻机产业链，这方面确实也已取得了一些突破性进展，然而即使在其中几个关键技术取得突破，还需要在其他方面取得突破，难度极大，然而中国芯片却无法等待，毕竟全球的先进芯片已发展到2纳米工艺了。

　　为此研发新的技术路线就提上了日程，而这方面日本也给中国提供了启示，日本曾主导光刻机市场，不过在浸润式光刻机和EUV光刻机已落后于ASML，这也导致日本光刻机产业的衰落，据悉目前日本光刻机主要是干式光刻机，占有的市场份额已不到四成，而ASML则占据了六成。

　　拥有光刻机技术的日本光刻机产业当然不甘心由ASML独占这个市场，为此日本佳能开发出NIL工艺，NIL工艺可以发展到5纳米，而且佳能的NIL工艺已被存储芯片企业日本铠侠采用，证明了确实可以开发出无需光刻机的芯片制造技术。

　　对于ASML来说，当前的光刻机技术似乎也已到了尽头，ASML就曾表示它当下的最先进光刻机--2纳米光刻机可能就是最后一代光刻机，这种光刻技术已很难进一步进化。

　　事实上，全球芯片行业也在考虑其他芯片制造技术，其中电子束光刻就是其中之一，这次传出的中国开发新的芯片制造技术正是电子束光刻技术。

　　据悉中国浙江这家企业开发的电子束光刻技术可以在硅片上刻出0.6纳米的精度和8纳米的线宽，这已是相当先进的技术，比当下中国以现有的DUV光刻机生产的7纳米工艺先进得多。

　　此外采用电子束光刻技术可以比EUV光刻机进一步降低生产成本，当前的光刻机技术生产芯片耗电极大，台积电的工厂耗电量就占了中国台湾省大约8%的电力，以至于业界担忧台积电进一步开发更先进的工艺，中国台湾省未必可以给台积电供给足够的电力了，而电子束光刻技术消耗的电力远比现有的光刻机少。

　　或许有人质疑浙江这家企业开发的电子束光刻技术较为落后，线纳米落后，其实不然，从28纳米之后全球芯片制造企业的先进工艺都是等效工艺了，台积电的7纳米工艺就与Intel的14纳米线宽差不多，所以台积电的2纳米工艺线纳米差不多。

　　更重要的是电子束光刻技术不仅可以为当下的硅基芯片用，还可以用于未来的量子芯片、K8凯发科技光子芯片等技术，而量子芯片、光子芯片等被视为可能替代当下硅基芯片的技术。

　　可以说中国在电子光刻技术方面的突破性进展，不仅将补上中国在现有硅基芯片技术上芯片制造技术短板，更有助于中国加速量子芯片、光子芯片的商用化，进而实现芯片技术的弯道超车。返回搜狐，查看更多