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　　半导体工艺中的光刻技术通过光学成像和光化学反应实现电路图案的微缩化转移，其核心原理及流程如下：

　　‌光学投影系统‌光刻机利用紫外光或极紫外光作为光源，通过掩模版（光罩）携带电路图形信息，经复杂光学系统将图案按比例缩小并投影至涂有光刻胶的硅片表面。此过程类似照相技术，但精度要求达到纳米级。

　　‌光化学反应‌光刻胶（光致抗蚀剂）是关键材料，分为正胶和负胶两种类型。正胶在曝光后溶解度增加，显影时被溶解；负胶则相反，未曝光区域被溶解。这一特性使得掩模版图案能在硅片上形成对应抗蚀结构。

　　‌涂胶与预处理‌硅片表面均匀旋涂光刻胶后，通过烘烤去除溶剂并增强附着力。

　　‌曝光与显影‌掩模版图形经光学系统精确投影至光刻胶层，引发曝光区域化学性质变化。显影液溶解可溶部分，形成三维浮雕图案。例如，在特定工艺中采用双层光刻胶技术，通过调节不同光刻胶的折光率和吸光率优化侧壁形貌，减少显影残留。

　　‌图案转移‌显影后的光刻胶作为保护层进入刻蚀或离子注入工序，最终将图形转移到硅片基底或薄膜层上。完成后去除光刻胶，进入下一循环。

　　‌多层光刻胶应用‌：通过组合不同性质的光刻胶层，可提升陡直度、减少线宽误差（CD白边）和底部残留，增强后续刻蚀效果。

　　‌精度控制‌：光刻胶厚度、曝光剂量、光学系统校准等参数共同决定最终图案的分辨率和保真度，直接影响芯片集成度与性能。

　　光刻作为半导体制造的核心环节，其技术演进（如EUV光刻、多重曝光）持续推动芯片制程向更小节点突破。