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　　半导体光刻工艺技术基础 芯硕半导体中国)有限公司。 ●●●●● 做世界一流产品创世界一流品牌 ●●●● ●●●●● ●●●●  ●●@●● ●●●● Contents :i0 半导体技术 2.光刻技术在C制造中的作用 光刻的工艺流程 4.光刻胶 5.光刻机 光源 7.技术改进和新技术  ●●@●● 半导体技术 ●●●● ●0● ●●● 半导体定义 ●半导体发展历史  ●●@●● 半导体定义 常温下导电性能介于导体( conductor) 与绝缘体( insulator)之间的材料,叫做半号体 导电能力 半导体( semiconductor 半导体五大特性:电阻率特性,导电 特性,光电特性,负的电阻率温度特 性,整流特性。 半导体1湿木 半导体的应用,按照其制造技术可以 分为:集成电路(C)器件,分立器 件、光电半导体、逻辑C、模拟C 储存器等大类  ●●@●● 半导体发展历史 ·1833年,英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的上升而降低(负° 电阻率温度特性)。这是半导体现象的首次发现。 1839年,法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结,在光照下 会产生一个电压-光生伏特效应,这是被发现的半导体的第二个特征 1874年,德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关 即它的导电有方向性,这就是半导体的整流效应,也是半导体所特有的 第三种特性。 1873年,英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应, 这是半导体又一个特有的性质。 1911年考尼白格和维斯首次定义半导体这个名词。 1947年12月由贝尔实验室完成四特性的总结并最终应用。  ●●@●● 二、光刻技术在C制造中的作用 ●●●● ●0● ●●● 何谓集成电路c ●C芯片剖面图 单层制造流程简述 ●光刻设备在C制造中的作用  ●●@●● 何谓C-集成电路 ●C:用硅的体电阻做电阻,用P-N结形成电容:所有有源和 无源器件器件都集合到一个半导体材料上。 1958年9月,T公司的 Jack S Kilby第一次将所有元器件 (12个元件)都集合到一个的半导体材料上,产生第一块 集成电路。2000年度荣获诺贝尔物理学奖。 ●现在,超大规模集成电路,一个芯片可以容纳百万个元件  H。 w Are cs made? ●●@●● ●●●● ●0● ICs(or chips) are mass produced on wafers ●●● Wafers are thin slices of silicon, polished flat. Chips are constructed on top of (and in) the wafer surface area Individual Finished contained within packag Individual chip, cut from wafer  ●●@●● ●●●● C芯片剖面图(多层) PA SION AL Pad 个CMOS器件的剖面示意图 PA OX Global MT VIA ntermediate M2 Litho Key layers sT、POLY、C.H.、M1 (Nanorealm N- Well P- Well  光刻设备在C制造中的作用出 ●●●● c电路单层制造流程简介。。。。 在 wafer(晶圆)预检侧完毕被送到FAB的工艺线上后,先后在 wafer表面 生长出一层致密的So2膜和另外一层Si3N膜,分别称为 PAD Oxide和 NItride sTl: shallow trench isolate浅沟槽隔离工艺

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