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　　光刻工艺是是化合物半导体器件制作中最常用的工艺，也是最关键的工艺之一；它是将掩膜版上的图形转移到衬底表面的光刻胶图形上，它的好坏往往直接决定了器件制作成功与否。根据曝光方式可分为接触式、接近式和投影式，根据光刻半导体工艺技术

　　光刻工艺是是化合物半导体器件制作中最常用的工艺，也是最关键的工艺之一；它是将掩膜版上的图形转移到衬底表面的光刻胶图形上，它的好坏往往直接决定了器件制作成功与否。根据曝光方式可分为接触式、接近式和投影式，根据光刻面数的不同有单面对准光刻和双面对准光刻，根据光刻胶类型不同，有薄胶光刻和厚胶光刻。

　　一般的光刻工艺流程包括前处理、匀胶、前烘、对准曝光、显影、后烘，可以根据实际情况调整流程中的操作。协作单位的工艺平台对光刻工艺有一套标准的流程；涂胶（选择胶型、转速、旋转时间、是否加盖等条件）前烘（针对胶厚度．选用合适的前烘温度，注意同样温度条件下，热板和烘箱的时间不一样）光刻（由）胶厚度和胶型，选择合适的曝光时间和曝光剂量）显影（根据胶型选取显影液的类型与浓度，选择合适的显影时间）后烘。

　　GaAs微机械加工的刻蚀技术研究是GaAs MEMS研究的先驱，刻蚀技术又分为湿法刻蚀技术和等离子刻蚀技术。

　　湿法腐蚀工艺技术是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术；它是在具有高选择比掩蔽膜的保护下对介质膜或半导体材料进行腐蚀而得到所需图案的技术。湿法腐蚀具有各向同性腐蚀与各向异性腐蚀之分，还有选择性腐蚀与非选择性腐蚀之分。

　　各向异性刻蚀技术是与被刻蚀晶片的结构方向有关的一种刻蚀方法，它在特定方向上刻蚀速度大，其它方向上几乎不发生刻蚀。利用掩蔽图形与不同晶面的对准角关系，可以制作出深度达几十微米的不同二维空间结构。常用于GaAs的各向异性刻蚀溶液有：H2SO4:H2O2:H2O，H3PO4:H2O2:H2O，NH4OH:H2O2:H2O，和Br2:CH3OH[47]。 由于GaAs是闪锌矿结构，(111)晶面的刻蚀速率明显低于其它晶面。因此就会形成一些特殊的几何结构。

　　等离子体就是指电离气体，它是由电子、离子、原子、分子或自由基等粒子组成的集合体，其中的正电荷总数和负电荷总数在数值上相K8凯发科技