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　　进入2025年下半年起，日本财经媒体对中国半导体设备的报道明显增多，调子也悄悄变了味。《日经亚洲》在对行业高管多次采访后发现，中芯国际及其同行，包括存储器制造商长鑫存储和长江存储，已在多个方面取得显著进展，这些企业已用国产替代品替换了用于蚀刻、测量、沉积、化学抛光等工艺的外国工具。换句话说，在芯片制造的多道核心工序中，国产设备完成了一轮系统性顶替，剩下的悬念几乎只落在光刻这一环。

　　光刻机被业内称作半导体皇冠上的明珠。将芯片开发者的设计投影并印刷到晶圆上的过程，对芯片的最终性能至关重要，但光刻机复杂且昂贵，全球只有三家公司，荷兰的阿斯麦以及日本的佳能和尼康，能够生产它们。根据国际半导体产业协会的数据，去年光刻机占全球芯片制造设备支出的近25%。也正因为此，外界把光刻机视作大国博弈中真正意义上的咽喉要道。日媒的紧张感，并非空穴来风。

　　值得玩味的是日方对中国短期策略的判断。《日经亚洲》围绕光刻技术领域总结称，中国的短期策略仍然是＂囤积＂。为规避进一步的出口管制，中国在2024年从阿斯麦购买了价值89.2亿欧元的设备。这波订单热潮使中国占据了阿斯麦当年系统销售额的41%，位居所有市场之首。表面看是被动应对，骨子里则是为自主研发争取时间窗口。

　　更直白的担忧出自业内人士之口。报道援引一名日本芯片设备供应商高管的担忧称，一旦中国取得突破，将给非中国供应商带来巨大压力。曾任美国政府高级官员的半导体专家也持类似观点，她认为美国政策制定者对中国本土芯片设备制造能力的认知有些天真或无知，中国本土已经出现了应用材料、东京电子和科林研发等公司的竞争对手，而且很可能加码半导体设备的自主研发投入。把这些零散表述拼起来不难看出，日媒的＂报道＂，更接近一种行业预警。

　　如果说舆论是水面上的浪花，那真正决定走向的是水面下的工程进度。先把目光收回到上海。上海微电子装备集团2025年5月宣布成功交付首台28nm浸没式光刻机，该机型采用ArFi（氩氟浸没式）技术，通过193nm波长光源与浸没式液冷系统的结合，实现等效134nm分辨率，可支持7nm及以上制程的多重曝光工艺。一句话拆解，就是用相对成熟的波长加上多重曝光算法，绕开极紫外门槛，把先进制程的产能问题先解决一半。

　　良率是产业人最在意的硬指标。据最新报道，2025年交付给中芯国际和华虹半导体的设备实测良率已达90%以上。从样机走到工程化，再走到客户产线稳定运行，每一步都不容易。配套层面同样在跟上节奏，华卓精科研发的6自由度超精密双工件台实现纳米级同步定位与套刻精度，科益虹源开发的40W大功率准分子激光器输出稳定性达99.99%，寿命突破3万小时，这些零部件原本都掌握在境外少数厂商手里。

　　进入2025年9月，又一个标志性节点落地。据《金融时报》援引知情人士透露，中国芯片制造龙头中芯国际开始测试由上海初创企业宇量昇研发的深紫外光刻机，此举被业界视为打破海外技术封锁、保障AI芯片供应链安全的战略性一步。DUV光刻机虽非最顶尖的EUV设备，但仍是制造7nm及以上制程芯片的主力设备，涵盖了目前绝大多数车用芯片、物联网芯片以及人工智能处理器。两条研发线并行推进，意味着国产光刻机不再依赖一家一厂的单点突围。

　　与此同时，材料端的捷报也来得快。南大光电9月发布的ArF光刻胶已经在193纳米工艺上通过验证，并进入中芯国际等头部晶圆厂的量产环节，国产高端光刻胶由此首次在主流产线站稳脚跟，长期由日本企业把持的高端市场，被实际切走了一块份额。设备、材料、晶圆、终端，一条完整的国产链路正在缝合。

　　成熟制程的覆盖度同样亮眼。在28nm及以上领域，中国半导体设备厂商已基本实现了全覆盖，部分刻蚀、清洗环节已推进至先进制程节点，国产化率达80%以上。在14nm工艺上，中国半导体设备厂商也实现了50%以上的覆盖。28纳米看似不耀眼，可放到汽车电子、家电主控、新能源车控这些主战场，已经够用，而且越用越顺手。

　　要看清这条赛道的真实位置，还得把全球设备格局摊开来对照。上海微电子是国内唯一可批量供应高端光刻机的企业，2025年全球半导体设备厂商排名第20位，聚焦90nm至28nm成熟制程，逐步向14nm及以下制程延伸。排进全球前20，本身就回答了＂中国是不是造光刻机的国家＂这道题，剩下的只是制程档位高低的问题。

　　把视角再抬高一些，看产业格局的演变会更清楚。2025年9月下旬，工业领域那场年度大展释放出更强烈的信号。第二十五届中国国际工业博览会期间，上海微电子展台上首次公开亮相了极紫外光刻机参数图。国金证券表示，先进封装机台正式量产、干法DUV近期将进入量产测试阶段、国产EUV进入原理机搭建阶段，国产光刻机产业进入爆发元年。从纸面参数走到原理机搭建，这步看似小，意义却不小。

　　技术储备同时在向更高难度的极紫外路线年底，国内首台EUV光刻原型机在深圳完成组装，该设备采用LPP-EUV光源与国产光学系统，成功生成13.5nm极紫外光，完成初步光刻试验，虽距离商业化量产仍有差距（光源功率需从50W提升至250W以上），但标志着中国掌握EUV光刻机核心原理与集成技术。原型机不是商品机，差距很客观，但从0到1的门槛已经迈过去了。

　　新型路线月，杭州璞璘科技交付国内首台半导体级步进式纳米压印光刻机，该设备无需复杂光源与光学系统，成本仅为EUV的三分之一，分辨率支持7nm节点，极限可达5nm，通过多重压印技术可实现7nm及以下制程量产。多线并进的好处在于，万一某条路被卡住，还有备份方案能顶上。这种打法相当务实，不押宝某一种技术。

　　封锁这把刀，反过来磨出了产业的内功。荷兰政府在2023年宣布全面禁止EUV光刻机对华出口；2025年禁令扩展至DUV机型，实际等于切断了全球技术链中最关键的一段。然而技术断供的代价不仅由中国承担，ASML最新披露的业绩显示，2025年三季度中国市场贡献了其净销售额的大约42%。一边是越收越紧的出口管制，一边是越卖越多的中国订单，这种拧巴感本身就是大变局到来的前奏。

　　ASML自己也心里有数。CEO傅恪礼在10月的财报电线年对中国市场的销售将＂显著下降＂，这并非中国抛弃ASML，而是ASML政策依赖导致客户主动选择替代路径。客户走得越远，意味着替代方案越成熟，这是任何企业都不愿听到的提醒。

　　国家层面的支持力度同样实打实摆在台面上。中国于2024年5月启动了国家集成电路产业投资基金第三期，政府投资额为3440亿元人民币。根据政府数据，第三期重点关注加强光刻机供应链，预计将吸引1.38万亿元人民币的民间投资。从北京到上海再到深圳，地方政府也出台了支持国内EUV关键部件供应商的政策，这些部件包括光刻胶、光刻工具、反射镜、透镜、激光器和光源。资金、政策、人才、订单四股力同时往一处使，过去这种规模的集中攻坚在国内并不多见。

　　地方层面也在火力全开。2026年中央科技委员会成立专项工作组，统筹EUV光刻机、28nm DUV光刻机量产攻关。地方政府同步发力，上海、北京、深圳、合肥等地设立半导体产业基金，仅上海2025年就投入50亿元支持上海微电子扩产与技术研发。从中央到地方，一条龙的政策接力让产业链补短板的节奏明显加快。

　　回到日媒最初的那个问题，中国会不会成为第三个能造光刻机的国家？以工业博览会上公开的EUV参数图、宇量昇DUV送进中芯国际产线的测试节点、上海微电子的批量交付、原型机的成功点亮为线索串起来看，答案其实早已写在产线和实验室里。

　　一名半导体分析师认为，中国显然正努力开发自己的光刻技术，而取得成果需要时间，手中掌握的大量阿斯麦设备库存显然为中国赢得了时间。另一名业内IT硬件研究主管也认为，尽管光刻技术的准入门槛远高于其他类型的芯片制造设备，但鉴于许多技术已经存在多年，他预计中国最终会取得突破。

　　距离最顶尖的EUV量产，确实还有几道关要闯，光源功率、反射镜镀膜、整机稳定性，哪一项都不是几个月能搞定的。可正是这种慢工出细活的劲头，让外界从最初的不屑，转到如今频频＂预警＂。

　　当一个产业从需要进口器件组装走到能拿出自己的原理机，从只能做90纳米走到稳定供应28纳米并向14纳米延伸，全球半导体设备的版图已经在悄悄改写。荷兰、日本两家分天下的局面，正在迎来第三位入场者。返回搜狐，查看更多