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　　半导体光刻设备巨头阿斯麦（ASML）发布声明表示，英特尔代工（Intel Foundry）已成功在生产环境中部署ASML的高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻技术，并正式投入大规模量产阶段。

　　这项光刻技术目前应用于Intel 18A工艺节点，主要用于生产部分代号为“Panther Lake”的英特尔酷睿™Ultra 3系列处理器。

　　ASML指出，特定的Intel 18A芯片层已在美国俄勒冈州厂区通过High NA EUV的双重认证，且目前出货给客户的产品良率已经可以与现有的NXE平台相媲美。通过在特定芯片层采用High NA EUV图形化，ASML与英特尔得以收集宝贵的数据，进一步优化系统设置、提升运行时间与实际制造导入流程，为未来全面发挥该技术潜力、扩大采用范围奠定基础。

　　ASML总裁兼首席执行官Christophe Fouquet表示，High NA EUV具有更高的分辨率与更佳的工艺控制，标志着半导体光刻技术的重大发展。我们很荣幸能参与其中，协助实现更小、更密集的图形化技术，这将进一步加速AI与其他新兴科技的发展。

　　英特尔代工执行副总裁兼总经理Naga Chandrasekaran则强调，这一里程碑展现了英特尔与ASML的密切合作，并证明了High NA EUV规模化整合至先进半导体制造领域的可行性。他指出，通过在精选的Intel 18A芯片层验证此工艺方案，不仅能利用现有设备为客户增加产能，也为未来节点实现凯发k8顶尖性能、密度及制造弹性提供了更多选择。

　　回顾双方的合作历程，英特尔与ASML早在2024年便于俄勒冈州希尔斯伯勒（Hillsboro）研发中心，完成了业界首台商用High NA EUV光刻系统的整合。英特尔同时也是全球首家安装并通过第二代系统TWINSCAN EXE:5200B验收测试的企业，该系统建构于前一代的基础上，不仅配备了改良的光源，更进一步提升了吞吐量（产能）与套刻精度。

　　英特尔代工正式成为业界第一家使用High NA EUV技术出货大规模量产逻辑产品的企业。未来，英特尔与ASML将持续针对High NA EUV的量产准备保持紧密合作，并将根据客户需求，弹性地将该技术导入未来的先进工艺节点。（文章来源：科技新报）返回搜狐，查看更多