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　　随着半年报陆续发布，国内CMP（化学机械抛光）公司成绩单引人关注，存储芯片技术路线转型的信心倍增。CMP作为集成电路制造的关键工艺之一，正站在新风口。晶圆制造向高密度、三维化演进，直接拉动了抛光步骤和耗材更换频率，CMP材料的市场弹性大幅释放，在本土供应链需求增长和国产替代浪潮的双重驱动下迎来发展良机。

　　CMP通过抛光液的化学作用与抛光垫、磨粒的机械作用实现晶圆表面平坦化，已成为与光刻、刻蚀、薄膜沉积并列的第四大核心工艺。每一片晶圆在生产过程中会经历几道甚至几十道CMP抛光工艺步骤，核心材料包括抛光液和抛光垫，其中抛光液价值占比超过50%。国际咨询机构TECHCET研究显示，2025年全球半导体CMP抛光材料市场规模为38亿美元，2026年预计增长10.3%至42亿美元，2025年至2030年复合增长率为8.8%。

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　　芯片工艺升级推高CMP需求。随着制程节点微缩，CMP工序次数爆发式增长，180nm节点仅需约10次，7nm节点突破30次。存储芯片技术路线转型也贡献了可观增量，AI技术演进增加了HBM、3D堆叠存储器等需求，HBM采用多层DRAM垂直键合架构，单颗所需CMP工序较普通DRAM大幅提升。晶圆超薄化趋势也扩展了CMP材料应用范围。

　　CMP本土化进程加速，国内市场呈现“一超多强”格局，但技术短板仍存，特别是抛光液主要原材料磨粒高度依赖国际市场。高纯度磨粒长期依赖进口，部分高端产品仍需外购高纯磨粒，在更先进制程下磨粒供应存在挑战。目前，相关企业已开始布局自产氧化铈磨料领域，多款产品通过客户验证并实现量产供应。