咨询电话： 13704000378
广州微纳光刻材料科技有限公司等申请一种离子型嵌段共聚物及其制备方法和半导体图形化应用专利可达到亚10nm的分辨率！
发布于 2025-07-17 13:52 阅读（）
金融界2025年7月17日消息，国家知识产权局信息显示，广州微纳光刻材料科技有限公司、复旦大学申请一项名为“一种离子型嵌段共聚物及其制备方法和半导体图形化应用”的专利，公开号CN120309842A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明属于聚合物技术领域，提供了一种离子型嵌段共聚物及其制备方法和半导体图形化应用。本发明提供的离子型嵌段共聚物，包括嵌段A和嵌段B，本发明提供的具有特定结构的离子型嵌段共聚物的相分离尺寸小、分辨率高，可达到亚10nm的分辨率，进而可以提高单位面积的线nm及其以下分辨率的半导体生产图形化的潜力。而且本发明的离子型嵌段共聚物可以在较低的退火温度和较短的退火时间条件下(在70‑90℃中3‑8min退火)实现优异的相分离和快速的自组装性能，可以与传统的工艺相兼容，避免使用溶剂退火的方法。
新闻资讯
越跌越买？科创半导体ETF（5 TOP1 -
2 广州微纳光刻材料科技有限公司等 07-17
-
3
斥资3440亿中方全力冲刺光刻 07-17 -
4 日媒：中国正努力开发自有光刻技 07-17
-
5
荷兰ASML最先进光刻机曝光我 07-16 -
6 美国发力EUV光刻 07-16
-
7
美国第一个半导体技术中心在奥尔 07-16 -
8
ASML最新资讯-快科技--科 07-16 -
9
下一代半导体制造中光刻材料的进 07-15
