K8（凯发中国）凯发-天生赢家·一触即发

　　使用极紫外光刻技术时，光波的长度将会短至13.4nm，由于光的波长变小，光会被用来聚光的玻璃透镜吸收，以前光刻工艺中的透镜将会被反射镜所取代，同时这不仅要求反射镜面要近乎完美且反射涂层材料也有极高要求，否则光未到达晶圆之前就会被反射镜所吸收，或是被涂层中小缺陷破坏光学形状并扭曲蚀刻电路图案，从而导致芯片功能出现问题。除此之外，对光源发生装置，光学系统的制造等都提出了更高的要求。

　　为了提高光刻分辨率，一个主要的研究思路是减小光刻中所用光波的波长，芯片制造中光刻技术从248nm光刻技术一直发展到13.4nm超紫外光刻技术，光刻技术所用的光波越来越短，K8凯发科技这使得光刻分辨率得以极大提升。更小的波长意味着更大的分辨率，这使得人们可以在同样大小的芯片上制造更多得器件。

　　随着半导体器件的发展，其工艺尺寸越来越小，半导体产业的领头羊Intel已经达到了22nm制程，而14nm制程所用的设计准则也已制定完毕。然而随着工艺尺寸越来越小，对芯片制造工艺的要求也越来越高。工艺尺寸每进入下一个制程节点，都需要一次技术的革新。器件尺寸缩小意味着要将电路图形精确投射到硅片上的困难度越来越高，也即意味着对光刻的分辨率要求越来越高。