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英特尔董事称蚀刻技术将取代光刻国产半导体迎重要发展机遇?!
发布于 2025-07-26 01:54 阅读()
最近半导体行业爆出两条消息,似乎预示着全球芯片行业的风向似乎正在悄然转向。
先是,一位英特尔董事声称蚀刻技术或将取代光刻技术成为芯片制造核心,该董事指出“未来的重点可能从单纯依赖光刻机缩小特征尺寸,转向更复杂、更关键的刻蚀工艺。”而素有芯片产业“皇冠明珠”光刻机产品的ASML称受国际环境影响,公司可能无法在2026年实现增长。
如今,英特尔将登神长阶缓缓推至蚀刻技术面前,而国际形势的阴云却笼罩在阿斯麦的头顶。
在这种背景下,中国半导体产业又会受到什么影响?,又能否给中国半导体产业开启新的风口?我们普通人是否在其中能够捕捉到投资机会?
我们首先需要明白光刻和蚀刻在芯片制造工艺中扮演的不同角色。光刻技术的作用,是把设计好的电路图案投影到硅片上。而蚀刻技术则是根据光刻提供的图案,用化学溶液或等离子体等雕刻出晶体管和电路。
类比来讲,如果把芯片制造比作制作一件精美的雕塑,那么光刻就是画出设计图的画师,而蚀刻则是按照图纸进行雕刻的雕刻家。也就是说,光刻技术是蚀刻技术的前置步骤。
英特尔董事的这番言论在业内引发了广泛讨论和争议,乍一听不免有点博人眼球,但是其言论也并不是毫无依据的。
过去几十年来看,芯片制造的核心逻辑是,通过光刻技术不断缩小晶体管的尺寸,让芯片在单位面积内塞进更多晶体管。因为一般而言,芯片能塞进的晶体管越多,算力越强、功耗越低。但进入5nm以下制程后,平面晶体管逐渐逼近物理极限。
为了继续提升芯片性能,工程师们开始向第三个维度拓展,设计出3D晶体管,让晶体管从“平房”变成“摩天大楼”,这样在相同芯片面积下,3D结构能塞进更多晶体管。值得注意的是,3D结构就需要更加关注垂直堆叠的层间对准(依赖蚀刻/沉积技术),而非单层图案的极限缩小(依赖光刻)。这样就从技术上显示出一个趋势:随着晶体管结构从平面走向3D,芯片技术的发展将更多依赖蚀刻技术的进步。
(先进的HBM技术将一个个DRAM堆叠起来,就像砌高楼)资料来源:AMD、东方证券研究所
如果半导体产业按照所预期的那样发展,蚀刻技术在未来产业链中和光刻技术分庭抗礼,甚至占据更高级的权重地位的话,半导体产业的竞争格局将会发生重大的变化。这种由技术路径变革而引起的潜在竞争格局变化的情况,或许会把新能源汽车的故事在中国再次复刻一遍。
中国半导体的新机遇或许就在于此。资料显示,中国的蚀刻技术已经在世界占有一席之地。近日,作为全球刻蚀设备供应商的领军企业中微公司发布中报业绩预告,其营收与利润大幅增加,背后推动力就是刻蚀设备和薄膜设备。在政策和产业趋势的推动下,我们有理由相信中国会跑出越来越多像中微公司一样的半导体设备龙头,而个人投资者也可以根据此逻辑进行投资布局。
投资视角:科创半导体ETF(5888170)全市场半导体设备含量最高的ETF
对于普通投资者而言,半导体设备,尤其是刻蚀设备这样的细分领域,虽然具备较高的技术壁垒和行业景气度,但个股选择难度大、研究门槛高。通过ETF来布局,是一个兼具专业性、分散风险和操作便利性的好方式。而在全市场主流的半导体芯片指数中,科创半导体ETF(588170)跟踪的科创半导体材料设备指数,其半导体设备权重高达59%,可以说是全市场含量最高的指数。
同时,指数十大权重股中不乏中微公司、拓荆科技、华海清科等半导体龙头。因此,看好国产替代机会的投资者可以考虑将其作为首选。
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