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　　金融界2025年8月20日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“半导体器件、半导体器件封装结构、电子设备”的专利，公开号CN120513022A，申请日期为2024年02月。

　　专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件、半导体器件封装结构、半导体器件的制备方法，以及电子设备。涉及半导体深槽电容器技术领域。提供一种可以减少光刻刻蚀次数的深槽电容器结构。该半导体器件包括基底和设置在基底内的电容器，基底内开设有多个槽，这些多个槽的槽宽不同，槽宽较大的槽可以作为功能槽，容纳电容器的各个电极和电容介质层，槽宽较小的槽可以容纳部分电极，即就是通过设置宽窄不同的槽，使得不同槽中的电极厚度不一样，那么，经一次光刻刻蚀之后，可以使得窄槽中的电极暴露出来，相比多次光刻刻蚀，本申请可以明显的减少光刻刻蚀次数，尤其是电极层数较多时，简化工艺制备流程的优势更加突出。

　　天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了52家企业，参与招投标项目5000次，财产线条，此外企业还拥有行政许可1570个。