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　　“中国自主研发的光刻设备仅能制造65纳米制程的芯片，与国际领先企业ASML相比大约落后20年！”

　　一边是宣称国内技术遥遥领先，一边却又被指出存在整整20年的差距，这种强烈的反差实在令人难以置信！

　　那么高盛的这项最新分析，究竟是如何得出的结论？我国是否真的与国外存在如此巨大的差距？

　　在我国举行阅兵活动的前一日，位于美国纽约的知名投行高盛，突然发布了一份针对我国半导体产业的负面评估报告。

　　在这份报告中，高盛指出，即便中芯国际已经能够制造7纳米芯片，但其实际技术水平仍存在较大不确定性。

　　在高盛看来，中芯国际之所以能够实现7纳米芯片的生产，主要依赖于使用了ASML较为陈旧的DUV深紫外光刻设备。

　　同时，高盛还特别强调，目前ASML已经研发出两代EUV极紫外光刻设备，而我国尚不具备制造此类设备的能力，可见双方差距之大。

　　基于上述判断，高盛单方面认为，国产光刻机仅能达到约65纳米工艺水平，与ASML相比存在大约20年的发展差距！

　　高盛解释称，ASML从65纳米到3纳米以下的光刻技术演进，整整用了20年时间，并为此投入了高达400亿美元的研发资金。

　　因此按照这一逻辑，中国要实现从65纳米到3纳米以下的技术跨越，也至少需要相同甚至更长的时间。

　　从部分实际情况来看，高盛的这一判断并非毫无依据。回顾我国在半导体领域的持续投入，即便不断追赶，与国际先进水平之间仍存在明显差距。

　　毫不夸张地说，在众多被“卡脖子”的科技领域中，半导体芯片无疑是最为严峻的挑战之一。

　　反观ASML的最新进展，其研发的High-NA EUV光刻设备已开始陆续交付，台积电与三星等企业均已接收。

　　据悉，High-NA EUV光刻设备是目前全球最昂贵的半导体制造装置，单台价格超过4亿美元，制造成本极为高昂。

　　值得一提的是，凭借其在光刻领域的绝对优势，ASML的财务表现持续向好，2025年第二季度销售额达到77亿欧元，同比增长23.2%。

　　从ASML的发展现状来看，国产光刻设备与其差距显而易见。高盛进一步指出，全球供应链的复杂性以及地缘政治风险，使得中国短期内难以实现技术超越。

　　在美国以各种理由施压盟友对华实施科技封锁后，荷兰光刻设备制造商ASML也无法置身事外。

　　但值得注意的是，在禁令实施前，荷兰国内及ASML内部曾出现强烈反对声音，因为ASML原本拥有三款顶级浸润式深紫外光刻设备对华出口许可。

　　实际上，美国对光刻设备对华出口的限制早在2019年便已初现端倪。当时正值特朗普第一任期，便开始不断推动荷兰政府禁止向中国出售ASML的高端极紫外光刻设备。

　　仅2024年第三季度，中国市场为ASML贡献的营收就占其总营收的50%，尽管多为较旧型号设备，但足以体现中国市场对ASML的重要性。

　　然而，营业额的波动并非ASML最担忧的问题。前CEO皮特·温宁克在离任前曾发出明确警告。

　　“你越施压，他们越会奋起直追”、“如果他们无法获得这些设备，就会自行研发。这需要时间，但他们终将实现目标”

　　他在今年6月的一次采访中表示，美国实施的相关禁令最终只会适得其反，与其不断打压对手，不如专注于自身的技术创新。

　　报道最后指出，富凯反复强调，目前中国已开始自主研发光刻设备，这表明中国正全力以赴实现突破。

　　相较于高盛单方面的分析，ASML前后两位CEO的警告显然更贴近现实，因为他们清楚地知道，中国是如何从一个全面落后的国家，逐步成长为如今的科技强国。

　　在其他领域，我国仅用短短几年时间就完成了其他国家十几年的发展历程，那么在半导体芯片领域，为何不能成为例外？

　　如果西方国家坚持认为自己仍处于领先地位，那就让他们继续这么认为吧，因为中国只会用实际行动来证明一切。

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