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　　近日，俄罗斯科学院微结构物理研究所公布了一份针对波长11.2纳米的国产极紫外（EUV）光刻设备的长期研发路线纳米制造工艺，并持续至2037年，整体目标是10纳米以下先进制程。

　　该机构强调，与全球光刻机巨头ASML的光刻设备的实现思路不同，俄罗斯的极紫外光刻系统另辟蹊径，采用独特技术体系，主要包括以下几个方面：

　　1、采用混合固态激光器：提供稳定光源，降低能耗。2、采用氙等离子体光源：可显著减少光掩模碎屑，降低维护成本。3、采用钌-铍（Ru/Be）反射镜：专为11.2纳米波长设计，优化光线反射效率。

　　相比ASML的深紫外（DUV）设备，该系统无需高压浸没式液体或多重图形曝光，设计复杂度更低，K8凯发官方网站适合中小型晶圆厂的高性价比需求。K8凯发官方网站

　　第一阶段（2026-2028年）：推出可支持 40 纳米制程的光刻设备，配备双反射镜物镜，套刻精度达 10 纳米，曝光区域最大为 3×3 平方毫米，每小时晶圆处理量（吞吐量）超过 5 片。

　　第二阶段（2029-2032年）：推出支持28纳米制程（有望拓展至14纳米）的扫描式光刻设备，采用四反射镜光学系统，套刻精度提升至 5 纳米，曝光区域为26×0.5平方毫米，每小时吞吐量超过 50 片。

　　第三阶段（2033-2036年）：目标实现10纳米以下制程生产，采用六反射镜配置，套刻对准精度达 2 纳米，曝光区域最大为 26×2 平方毫米，设计每小时吞吐量超过 100 片。

　　在制程精度方面，这些设备预计可支持从65纳米至9纳米的芯片制程范围，能够满足2025-2027年期间当前及未来众多关键芯片层的制造需求。每一代设备都会在光学精度和扫描效率上有所提升，且据推测，其单位成本结构将显著低于ASML的Twinscan NXE与EXE系列平台。

　　总的来说，俄罗斯科学院的极紫外光刻设备路线图展现了其在芯片制造自主化领域的雄心，整体非常乐观。不仅有望降低对外部供应链的依赖，还可能为中小型晶圆厂及被排除在ASML生态之外的国家提供替代方案，打破全球光刻设备市场的高度集中格局。

　　如果项目成功落地，不仅将助力俄罗斯实现芯片制造的自给自足，还可能为全球芯片产业引入新的竞争变量。未来几年，项目的技术验证、产业链构建及实际性能表现将成为业界关注的焦点。