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英伟达Blackwell芯片量产新进展 首片美国制造晶圆下线!

发布于 2025-10-18 23:01 阅读(

  

英伟达Blackwell芯片量产新进展 首片美国制造晶圆下线

  4NP工艺制造,由Blackwell GPU、Grace CPU、NVLink交换机等构成,拥有2080亿个晶体管,是其前代Hopper芯片(800亿个晶体管)的2.5倍以上,其配备192GB HBM3E显存并支持第五代NVLink技术(1.8TB/s双向带宽),引入了多项突破性创新,包括用于提升性能和精度的FP4精度、用于更快大型语言模型推理的第二代Transformer引擎,以及用于加速数据处理的专用解压引擎。在加州圣何塞举行的GTC大会上首次展示Blackwell处理器,其GB200超级芯片可为大模型推理负载提供30倍性能提升,同时成本和能耗降低25倍;2024年6月,黄仁勋宣布该平台的芯片投产,并在当年四季度确认量产与发货。

  ,自Blackwell芯片推出一年来,AI行业取得了巨大进展,AI功能越来越强大了。2024年全球前四云服务提供商共采购130万片Hopper架构芯片,2025年,它们又购买了360万Blackwell芯片。预计到2028年

  建设支出将达1万亿美元。黄仁勋还提到,公司正在全力生产Blackwell,下半年过渡到Blackwell Ultra。根据黄仁勋公布的产品路线图,英伟达计划以“一年一更”的节奏快速迭代其AI芯片架构,计划于2025年推出Blackwell Ultra,作为Blackwell的增强版本。台积电在亚利桑那州凤凰城建设的

  制造基地(官方名称为Fab 21)于2022年12月举行移机典礼。该基地计划建设六座先进制程晶圆厂和两座先进封装厂,共同构成一个超大型晶圆厂(Gigafab)聚落。短期看,台积电亚利桑那工厂经历三个开发阶段:第一个阶段是使用其4nm/5nm制造技术为

  第二阶段的建设则已经接近完成,内容为在2027年或2028年生产3nm或2nm级芯片。第三阶段则计划在本世纪末或下一十年初完工。台积电预计将为此三个开发阶段总计投入约650亿美元。根据规划,台积电亚利桑那州工厂未来将负责生产包括2纳米、3纳米、4纳米制程的芯片以及A16芯片,K8凯发官网平台入口这些先进技术对于