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“光刻机之父”林本坚:中国现有设备能造5纳米芯片美国已承认!
发布于 2025-11-26 19:32 阅读()
正式承认了中国大陆已经具备利用现有设备,实现5纳米芯片规模化生产的能力。
早在2023年,当外界普遍认为中国芯片产业被EUV光刻机的缺席而锁死在7纳米门外时,林本坚就曾公开发声:
两年后的今天,当华为新款手机搭载的芯片性能直逼业界顶尖水准,当第三方拆解机构的报告一次次摆上桌面,当美国实验室逆向工程的结果无法再被忽视,世界才恍然大悟:
当时业界的主流观点是,必须研发出波长更短的157纳米干式光刻k8凯发集团技术,才能延续摩尔定律的生命。
而彼时刚刚加入台积电的林本坚,却提出了一个颠覆性的想法:为什么不换一种“纸”呢?林本坚创造性地提出,在光刻机镜头和晶圆之间注入超纯水作为介质。
光的折射原理使得193纳米波长的光在水中等效波长缩短至134纳米,轻松跨过了157纳米的技术天堑。
结果,阿斯麦采纳了林本坚的方案,与台积电合作开发出浸没式光刻机,并借此一举超越日本双雄,成为至今无人能撼动的霸主。
可以说,没有林本坚,就没有阿斯麦的今天,全球芯片工艺的进步至少要延迟好几年。
这样一个凭一己之力改变了整个行业技术路线图的人,当他开口谈论光刻技术的极限时,每一个字都掷地有声。
多重曝光的思路是,你先用马克笔画一条线,再紧挨着它画第二条,然后用某种方式“腐蚀”掉两条线中间的微小缝隙,从而得到一条比笔头细得多的线条。
应用在芯片制造上,中芯国际等企业使用的ASML高端DUV光刻机,其光源波长是193纳米。
2023年8月,华为Mate 60 Pro搭载的麒麟9000S芯片横空出世,第三方机构TechInsights拆解后确认其为中芯国际7纳米工艺的产物,这在全球范围内引发了剧烈震动。
这颗芯片的出现,本身就是对技术封锁策略的一次正面回击,它证明了DUV的潜力远未耗尽。
正是基于这些挑战,美国最初的策略制定者们或许认为,即便中国掌握了技术,也无法逾越成本和良率这两座大山,因此不足为惧。
然而,从2024年开始,市场传闻中芯国际为华为新一代旗舰机试产5纳米芯片的消息不胫而走。
到今天,随着搭载新一代芯片的产品上市并展现出卓越性能,事实已经不容辩驳。
中国不仅在技术上走通了这条路,更在工程实践中,通过无数次的工艺优化和技术迭代,将良率和成本控制在了一个“可以接受”的范围内。
他们的实验室拆解了最新的中国芯片,逆向分析了其制造工艺,最终得出了与林本坚两年前完全一致的结论。
它意味着试图通过单一技术节点的封锁来扼制一个大国的科技进步,其效果是有限的。
一旦中国将5纳米、7纳米等成熟工艺的成本通过规模化生产进一步拉低,形成所谓的“白菜价”优势,全球芯片市场的格局将被彻底改写。
一些依赖技术代差获取高额利润的西方企业,正面临着前所未有的压力,甚至开始重新评估其对华策略,寻求重返中国市场,以免被这个庞大的供应链和消费市场彻底排除在外。
通过新材料(如碳纳米管)和新架构(如3D封装、Chiplet技术),完全有可能在现有光刻精度的基础上,实现芯片性能的跃升,这或许是中国半导体“换道超车”的另一个方向。
参考资料:林本坚访谈录,《半导体技术与发展》杂志,2023年11月美国商务部技术出口管制报告,2022年10月华为技术有限公司Mate 60 Pro产品发布会,2023年8月
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