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　　财联社2月12日讯（编辑 周子意）三星电子公司周四（2月12日）表示，已开始向客户交付其最新款高带宽存储芯片HBM4。这家韩国芯片制造商正试图在关键半导体竞赛中赶超竞争对手，这是一次关键突破。

　　至于下一代HBM4E，其样品预计将于2026年下半年开始提供，而定制版HBM4E样品将于2027年开始交付给客户。

　　三星执行副总裁兼存储器开发部门负责人Sang Joon Hwang表示，“三星未沿用传统的成熟设计，而是大胆采用了最先进的制程工艺”。

　　三星电子的HBM4在性能上实现了对行业标准的大幅超越，已超出行业标准机构联合电子设备工程委员会（JEDEC）设定的标准，被选入用于英伟达下一代人工智能平台。

　　其HBM4芯片使用其1c工艺（第六代10纳米级DRAM技术）制造DRAM单元芯片，同时使用4纳米工艺制造基板芯片。

　　基于这些技术，三星的HBM4芯片实现了高达每秒11.7 Gbps的数据处理速度，超过了联合电子器件工程委员会规定的8 Gbps标准。

　　据此前报道，英伟达预计将在即将举行的GTC 2026大会上展示其下一代搭载三星HBM4的人工智能计算平台Vera Rubin。该大会定于3月16日至19日举行。

　　三星此次量产时间的落地，使三星在与SK海力士等竞争对手的角逐中占得先机。不过，也有业内消息人士称，SK海力士可能会提供更大的供应量，因为人们普遍认为其生产稳定性更高。

　　也有人提出质疑该公司在产量提升时如何确保生产良率，但三星电子首席技术官Song Jai-hyuk对此表示有信心，“很难用数字来描述（良率），但我可以说现状非常好，”他还补充道，客户对芯片的性能“非常满意”。