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美论坛:美国没批准中国竟敢私自研发DUV光刻板?网友:像个小丑!

发布于 2026-02-20 10:53 阅读(

  

美论坛:美国没批准中国竟敢私自研发DUV光刻板?网友:像个小丑

  起因是美国从2019年起就限制高端光刻设备出口到中国,特别是EUV机型完全禁售。

  DUV作为次一级设备,本来还能有限供应,但到2024年,美国推动盟国加强管制,连高级DUV如ASML的1980Di型号也受限。

  中国科研团队没等批准,就从2018年启动自主项目,目标是自产DUV来填补空白。

  论坛里,美国网友看到中国2023年宣布DUV样机成功,就发帖抱怨,说中国这是在无视规则,私自搞关键技术,会打破供应链平衡。

  那些帖子下,回复很快堆积,有人贴出新闻,说中国团队用193纳米波长深紫外光源,攻克光学系统精度问题。

  DUV机型主要用于28纳米以上芯片制造,中国从基础光学设计入手,逐步优化镜头加工,避免光束散射。

  论坛用户争论,说美国本想用禁令卡住中国脖子,结果中国绕过依赖,转向本土材料开发。

  2019到2022年,中国投入资金建实验室,测试光源稳定性,到2023年原型机能投影电路图案了。

  中国DUV研发没靠外部协作,全凭内部努力。团队面对封锁,从调研专利开始,制定路线,避免直接复制。

  光学路径用反射镜技术,减少衍射误差,2020年他们调整镜面涂层,提高传输效率。

  光刻胶部分,k8凯发集团选化学配方,2021年通过上百次反应测试,确保曝光后图案稳定。

  论坛上,有人分析说,这不光是技术活,还涉及产业链整合,中芯国际从2024年起参与验证设备兼容性。

  美国管制升级后,中国没停步。2024年,美国要求荷兰限制DUV维修服务,中国就加速部件国产化。

  论坛里,美国网友看到报告,说中国用DUV造出先进处理器,就调侃自己像小丑,本想封锁结果适得其反。

  全球格局变了,中国在半导体中占位更稳。科研没止步,继续向EUV探索,2025年有原型测试,用激光等离子体光源代替传统方法。

  光学系统精度高,团队2021年用模拟软件迭代设计,控制误差0.1纳米内。光刻胶稳定后,集成测试显示分辨率达65纳米。

  2023年,国家验收通过,准备产业转移。论坛用户分享数据,中国光刻机市场规模扩了,但没罗列数字,只说增长明显。

  全球竞争加剧,中国出口设备增加,影响欧美份额。有些美国网友反思,禁令没永久卡住,反而让中国学全套。

  2023年,样机曝光实验图案清晰。论坛讨论渐理性,有人说中国速度超预期,虽从28纳米起步,但迭代快。

  美国论坛氛围复杂,一方呼吁更严管,另一方认技术扩散难挡。中国回应是主权事,科技不需许可。

  2024年,全球调整供应链,中国设备填空缺。网友自嘲像小丑,意思是美国高估封锁效果。

  DUV在半导体中关键,将图案投到硅片。中国的193纳米光源穿透光刻胶,形成微米结构。团队2019启动,2020测试传输,调整布局减散射。

  2021年,光源模块达标,原型初步成。机械公差严,洁净室装配用自动化,监控干扰。2023年,验证转移精度高。

  突破后,中国产业本土化加速。2025年,DUV推制造降本,市场份额增。团队避外资依赖,转EUV,用新方法如激光驱动等离子。

  论坛承认中国实力,讨论从震惊到分析影响。全球进入新阶段,中国在竞争中更有话语。

  中国DUV项目从2018国家支持,到2023样机出。2024优化稳定性,加模块减误差。2025测试生产线,确认兼容。

  投入大,但数据支持每步。论坛用户辩论商用时间,有人预测2026量产。中国坚持路径,封锁成动力。