K8（凯发中国）凯发-天生赢家·一触即发

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　　高盛指出，中国本土光刻企业的技术水平较国际同行至少落后 20 年。光刻技术是半导体制造的核心环节之一，也是目前制约中国高端

　　由于美国政府制裁华为其从台积电采购芯片，华为不得不转向中芯国际寻求芯片供应。但进一步的制裁措施禁止中芯国际采购极紫外（EUV）光刻设备，导致中国企业目前仅能生产 7 纳米芯片。值得注意的是，这些芯片很可能仍依赖 ASML 的老旧深紫外（DUV）设备制造 —— 由于光刻设备的核心部件来自全球供应链（尤其是美欧国家），中国目前尚不具备自主生产先进光刻机的能力。高盛最新报告显示，中国本土光刻设备行业的技术水平或落后 ASML 达 20 年之久。

　　光刻是芯片制造流程中的关键工序，其原理是将掩膜版上的芯片设计图案转移到硅晶圆上。ASML 的极紫外（EUV）及高数值孔径（High-NA）EUV 光刻机等高端设备，能够在硅晶圆上刻蚀更小的电路图案，从而提升芯片性能。图案转移完成后，还需经过刻蚀、薄膜沉积、晶圆清洗等多道工序，最终形成芯片布局。

　　由于光刻技术直接决定了晶圆上精细电路的复制能力，光刻设备已成为芯片制造流程中的核心瓶颈。高盛在报告中强调，中国本土行业要达到 ASML 当前的芯片制造技术水平，至少还需要 20 年时间。

　　当前，台积电等领先芯片制造商已实现 3 纳米芯片量产，并正筹备 2 纳米产品的研发。高盛指出：“ASML 从 65 纳米技术迭代至 3 纳米以下，耗费了 20 年时间与 400 亿美元研发及资本支出。” 而中国本土光刻设备厂商目前仍停留在 65 纳米技术阶段，数据表明，其短期内追赶西方技术的可能性较低。返回搜狐，查看更多