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　　【TechWeb】近日，在2025集成电路（无锡）创新发展大会上，无锡市政府宣布启动两项半导体材料领域重大突破性项目，标志着中国在EUV光刻胶核心技术领域取得关键进展，有望打破国外长期垄断。

　　大会宣布，无锡先进制程半导体纳米级光刻胶中试线正式启动建设。作为全国首个掌握MOR型光刻胶核心原材料、配方及应用技术的创新平台，该项目研发生产的光刻胶将直接对标世界一流水准，填补国内在EUV光刻胶领域的空白。

　　MOR型光刻胶（金属氧化物光阻剂）是专为EUV时代设计的新一代光刻材料，将逐步取代目前DUV光刻胶广泛使用的CAR化学增幅型光阻剂。作为提高光刻分辨率、缩小栅极距、降低缺陷率的关键材料，MOR型光刻胶对实现5nm以下先进工艺制程至关重要。

　　与此同时，江苏（集萃）光刻胶树脂合成中试线作为全国唯一采用连续流技术制备光刻胶树脂的研发平台同步启动。该平台首创了高分子稳定合成的聚合装备与工艺，为光刻胶生产提供了关键原材料保障，形成了完整的技术链条。

　　EUV光刻胶不仅是制造5nm以下先进工艺芯片的核心材料，也是DRAM内存工艺向EUV时代演进的关键支撑。尽管目前NAND闪存尚未全面采用EUV工艺，但未来要进一步提升存储密度，EUV技术同样是必由之路。

　　业内专家指出，无锡此次启动的两个项目，不仅解决了EUV光刻胶卡脖子问题，更构建了从原材料合成到配方应用的全产业链技术能力，为中国半导体产业自主可控提供了关键支撑。随着Intel Panther Lake与AMD Medusa Point等新一代处理器对EUV工艺的依赖加深，这一技术突破的战略价值将进一步凸显。

　　无锡市政府表示，将持续加大对半导体材料领域的研发投入，力争在三年内实现EUV光刻胶的产业化，为中国半导体产业高质量发展注入新动能。（Suky）

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