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　　中国的光刻机制造商，在产品技术上面至少落后美国同行20年的时间。光刻技术是半导体制造产业链的核心环节，同时也是阻碍中国制造高端芯片的唯一瓶颈。最先进的光刻机由荷兰公司 ASML 制造，但是由于ASML的光刻机依赖于美国原产的组件，所以美国政府能够限制它们对中国的销售。

　　据加拿大技术机构Techinsi ghts，以及美国智库研究中心所发布的报告显示，中国企业自从2023年推出了搭载国产7nm芯片的5G手机之后，其技术发展陷入瓶颈。两年时间过去了，华为最新的芯片依然是7nm工艺的麒麟9020，并没有出现传闻当中的国产5nm芯片，这说明光刻设备依然是制约中国芯片发展的最大难题。

　　现阶段中国先进芯片的产能，依然需要依靠曾经从ASML采购的DUV设备进行制造。ASML在2023年向中国交付了大量曾经订购的设备，这些设备成为了中国发展先进芯片的核心力量。

　　而中国本土的光刻机制造商，只有上海微电子，但是上海微电子的光刻机设备只是在老旧的干式设备领域占据了4%的市场份额，对比荷兰的ASML、日本的尼康，技术差距明显。

　　全球第一台接触式光刻机是由美国的珀金埃尔默公司制造完成，随后该公司被美国地球物理公司（GCA）收购，开发出了步进式光刻机。在这个时间段，日本的尼康公司充当美国GCA光刻机的镜头供应商角色、

　　随后GCA打算发展全美技术的光刻机产业，将尼康踢出了供应链，把镜头供应商换成了另一家与GCA有合作的美国企业。尼康被踢出供应链之后，也选择发展日本技术的光刻机产品。于是尼康便通过另一家企业从美国采购了光刻机，将其进行拆解后逆向研发，最终制造出了属于日本尼康的光刻机设备。

　　尼康的崛起，冲击了美国的光刻机项目，GCA公司的光刻机项目被打包卖给了美国硅谷集团。

　　2001年，荷兰ASML在美国政府的允许下，收购了美国硅谷集团的光刻机业务，使其自身的实力开始壮大。2006年，美国EUV LLC技术联盟开始攻克EUV光刻技术，ASML成为了独家制造商。

　　不算是依靠干式技术发家的日本尼康，还是以浸润式技术和EUV技术垄断世界的ASML，其背后都有美国资本和美国供应商的支撑，这也是美国政府可以在光刻机上面对华实施禁运的核心原因。

　　在中国企业被全面制裁的情况下，无法获得国际层面的技术支持，无法获得欧美企业的零部件供应，单靠国内的供应链体系去挑战美国几十年建立起来的技术统治地位，短时间内根本不可能。

　　ASML耗时20多年的时间，投入了400亿美元以上的研发和资本支出，才实现了从65nm到3nm之间的技术跨越。

　　现在的中国光刻机技术也被卡在了65nm节点，想要突破技术壁垒，就需要解决浸润式和EUV技术，而这两个技术的核心专利均被具有美国资本的企业所掌握，中国企业想要在这个领域对海外企业进行赶超，必须面对的问题就是技术专利和高水平的零件供应商。

　　ASML制造出了全球第一台EUV光刻机，现在又推出了第二代的High-NA EUV光刻机（高数值孔径极紫外光刻机）。该设备支持3nm及以下制程工艺的芯片制造，并且支持1nm节点技术测试。

　　High-NA EUV的市场报价为3.8亿美元，较上一代EUV设备高出了将近一倍。ASML已经将该设备优先交付给了美国英特尔，英特尔想凭借着最新设备，在芯片制造领域拔得头筹，甩开所有 竞争对手，这完全符合美国特朗普政府巩固技术霸权的产业思想。

　　而中国企业的浸润式设备还未投入市场商用，也没有任何信息透露中国先进光刻机的整体技术进展。根据目前的情况来看，中美之间的芯片制造业差距最大，在制造设备上面，其技术差距已经来到了20年时间。

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