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　　今天分享的是：2025半导体行业专题：空白掩模版：光刻工艺核心原料，国产化亟待突破

　　在芯片制造的精密流程中，有一个看似小众却不可或缺的“隐形关键件”——空白掩模版。它像一张“未曝光的精密底片”，是制作掩模版的核心原料，而掩模版则承担着将电路图形转移到硅晶圆的关键任务，没有它，手机、电脑、AI服务器里的芯片都无法量产。2025年，随着全球半导体产业向先进制程冲刺，空白掩模版的重要性愈发凸显：全球市场规模约18亿美元，中国占4亿美元，但这一领域长期被日本HOYA、信越等厂商垄断，尤其是高端EUV（极紫外光刻）空白掩模版，国内几乎完全依赖进口。如今，国内企业正通过技术研发与海外收购加速突破，为半导体产业链自主可控补上关键一环。

　　要理解空白掩模版的重要性，得先从掩模版说起。在芯片制造中，掩模版就像传统摄影里的“底片”——设计师将复杂的电路图形绘制在掩模版上，再通过光刻设备将图形曝光转移到涂有光刻胶的硅晶圆上，经过显影、蚀刻，最终形成芯片的微观电路。而空白掩模版，就是制作这张“芯片底片”的基础材料，它的结构看似简单：在高纯石英玻璃基板上镀一层光学薄膜（如铬、硅化钼），但对材料纯度、平整度、缺陷控制的要求堪称“极致”。

　　按应用场景，空白掩模版主要分为两类：石英基板的高端款和苏打基板的中低端款。前者用高纯石英玻璃，透光性好、膨胀系数低，能满足先进制程芯片、功率半导体的高精度需求；后者成本较低，多用于平板显示、电路板等对精度要求不高的领域。对芯片制造而言，尤其是7nm、5nm等先进制程，空白掩模版的质量直接决定电路图形的精度——比如EUV空白掩模版要求基板杂质含量低于0.01ppm（相当于1吨材料里杂质不超过0.01克），不能有任何气泡或不透明颗粒，薄膜沉积的均匀性误差要控制在纳米级别。

　　从成本来看，空白掩模版是掩模版最核心的原材料。根据掩模版厂商龙图光罩的数据，2021-2023年其采购成本中，空白掩模版占比始终超过50%，最高达64%。也就是说，制作一张掩模版，一半以上的成本都花在了空白掩模版上。随着芯片制程升级，这一比例还在上升——7nm芯片所需掩模版成本是14nm的3倍，其中空白掩模版的技术溢价是重要原因。

　　目前，全球空白掩模版市场呈现“日系主导、韩美追赶、国内起步”的格局，尤其是高端领域，垄断程度极高。

　　日本企业占据绝对核心地位。HOYA、信越、AGC三家日系厂商几乎掌控了全球高端空白掩模版市场：在最先进的EUV空白掩模版领域，全球仅两家供应商，HOYA占据主导份额；在DUV（深紫外光刻）空白掩模版领域，HOYA同样占据主要市场，信越、AGC则在中高端市场补充。这些企业凭借数十年的技术积累，建立了从高纯石英玻璃合成到薄膜沉积的全链条技术壁垒，比如HOYA的EUV空白掩模版，能做到多层膜反射率偏差小于1%，缺陷率接近零，这是目前国内企业难以企及的。

　　韩国和美国厂商处于追赶阶段。韩国的S&S Tech、SKC通过与本土晶圆厂合作，在DUV空白掩模版领域实现突破，部分产品已供应三星、SK海力士；美国Telic则聚焦特殊工艺空白掩模版，规模较小。而国内企业此前主要集中在平板显示、PCB（电路板）等中低端空白掩模版领域，比如在G6及以下尺寸的平板显示掩模版基板上实现国产化，但在半导体用高端空白掩模版上，几乎完全依赖进口，尤其是EUV空白掩模版，国内尚无企业能量产。

　　从市场规模看，2024年全球空白掩模版市场约18亿美元，中国大陆占4亿美元（约28亿元人民币）。这一规模看似不大，却直接制约着国内芯片制造的产能释放——截至2025年8月，中国大陆晶圆产能已达259万片/月，其中先进制程（14nm及以下）16.7万片/月，成熟制程占比超60%，这些产能都需要大量空白掩模版配套，而高端产能的空白掩模版供应，仍高度依赖进口。

　　面对“卡脖子”现状，国内半导体产业链正从两方面推进空白掩模版国产化：一方面通过海外收购快速获取技术，另一方面加大自主研发投入，逐步突破技术壁垒。

　　收购成为快速切入高端市场的捷径。2025年9月，国内企业聚和材料宣布联合投资，以约3.5亿元人民币收购韩国SK Enpulse的空白掩模业务，包括厂房、设备、专利及技术团队。SK Enpulse的产品覆盖DUV-ArF、DUV-KrF等中高端制程，已通过三星、部分大陆晶圆厂的验证并量产，这意味着国内企业首次获得了中高端空白掩模版的量产技术，填补了国内在该领域的空白。这种“收购+消化吸收”的模式，能快速缩短与国际巨头的技术差距，为后续自主研发奠定基础。

　　自主研发聚焦成熟制程，逐步向高端渗透。除了收购，国内企业也在成熟制程空白掩模版上发力：龙图光罩、路维光电等掩模版厂商，已实现石英基板在成熟制程（28nm及以上）的小批量供应；部分材料企业开始布局高纯石英玻璃合成技术，试图突破“基板依赖进口”的瓶颈。虽然EUV空白掩模版仍有较大差距，但随着国内晶圆厂成熟制程产能持续扩张（如中芯国际、华虹半导体扩产），成熟制程空白掩模版的国产化需求将快速增长，为企业提供了迭代技术的市场空间。

　　此外，国内庞大的晶圆产能为空白掩模版国产化提供了支撑。2025年，中国大陆成熟核心制程（28nm-65nm）产能达72.6万片/月，占比31.5%，这些产能对空白掩模版的需求稳定且庞大。随着晶圆厂与国内空白掩模版厂商的合作加深（如联合验证、定制化开发），国内企业将逐步积累技术经验，为向更先进制程突破创造条件。

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　　空白掩模版的国产化，对国内半导体产业链而言，不仅是补上“关键材料”的短板，更意味着产业链安全性和成本控制能力的提升。长期以来，高端空白掩模版依赖进口，不仅面临供应链不确定性风险，还需承担较高的采购成本——日系厂商的EUV空白掩模版单价可达10万美元以上，且交货周期长。

　　随着国内企业在中高端空白掩模版领域逐步突破，未来不仅能降低国内晶圆厂的采购成本，还能为先进制程芯片制造提供稳定供应。虽然与HOYA等国际巨头相比，国内企业在技术精度、产能规模上仍有差距，但在成熟制程需求拉动、政策支持及产业链协同下，空白掩模版国产化进程将加速推进，成为国内半导体产业从“大”到“强”的重要一步。

　　对普通消费者而言，这一领域的突破或许不会直接带来产品降价，但它背后是中国芯片制造能力的提升——当产业链关键环节不再“卡脖子”，才能更稳定地支撑AI、高端手机、汽车电子等领域的创新，最终惠及更多科技产品的研发与普及。