K8（凯发中国）凯发-天生赢家·一触即发

　　截至2025年12月，国产光刻机在传统光刻、纳米压印、电子束光刻等多条技术路线齐头并进，整机与核心技术均取得显著突破，部分设备已进入实用或交付阶段，具体进展如下 ： 1.传统光刻领域：上海微电子的28nm工艺光刻机已进入实用阶段，良率达业内认可水平，其研发的ArF光刻机套刻精度更是达到8nm以内，且已提交EUV相关专利，目标2026年前具备首批EUV设备交付能力；11月芯上微装首台350nm步进光刻机AST6200完成交付，适配功率半导体等多场景，其先进封装用步进光刻机国内市占率已达90%。此外，哈工大实现13.5nm波长EUV光源研制，30瓦功率稳定输出可支撑原型机运行，为EUV技术突破奠定基础。2.纳米压印光刻领域：璞璘科技研发的PL - SR系列纳米压印设备已交付客户，线nm，超越日本佳能同类设备，还在存储芯片等多个领域完成研发验证，能为相关芯片制造提供高效方案。3.电子束光刻领域：浙大研发的我国首台商业机“羲之”精度达0.6nm、线nm，无需掩膜版即可直接刻写电路，目前已进入测试阶段，特别适配量子芯片研发和高端芯片前期科研工作，破解了此类设备进口受限的难题。

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