K8（凯发中国）凯发-天生赢家·一触即发

　　

　　但后来一转眼，差距拉开二十年，这中间的弯弯绕绕，归根结底就四个字：造不如买。

　　1956年，国家制定科学技术发展规划，把半导体列为重点，目的是造计算机，帮着完成两弹一星的计算任务。

　　1962年，第一代硅平面晶体管诞生，这就需要光刻技术支持，说明那时中国已经初步掌握光刻工艺。

　　1965年，中科院微电子研究所和上海电子仪器厂合作，推出65型接触式光刻机。

　　这台设备跟美国GCA公司第一台光刻机只差四年，那时候阿斯麦尔还没影儿，台积电更不用提。中国比日本起步差不多，比韩国和中国台湾早十年。

　　这台机手动操作，精度到微米级，能做小规模电路。虽然芯片产业链还没大规模起来，应用不多，但积累了光学和曝光经验。

　　1977年5月，江苏吴县开全国光刻机座谈会，42家单位67人参加。会上定下目标，以国际先进水平为标杆，组织全国力量攻关，加强技术情报工作。

　　1985年，中电科45所推出步进式光刻机，性能跟美国1978年水平相当，差距七年。

　　他是半导体开拓者，1956年创建国内第一个半导体研究室，拉出第一根锗单晶，领导研制首批锗合金结晶体管。

　　1960年，他筹建中科院半导体研究所，任副所长，建立全国首个半导体测试中心。

　　1978年，他主持大规模集成电路项目，成品率逐步提升。他的工作奠定中国半导体基石，推动光刻早期进展。

　　原来买不到的东西突然能买到，光刻机研制复杂，资金需求大，短期难见效。进口设备到手就能用，生产线快速运转。

　　依赖进口成常态，国内研制资金缩减。决策者比较国产与进口成本，签署采购合同。

　　凯发k8天生赢家

　　光刻机从领先滑向落后，差距拉大到20年。买办群体从中获利，忽略长期技术积累危害。

　　八十年代，中国科技政策调整，强调引进新技术设备，扩大进出口。但引进重点放在设备上，忽略消化吸收。

　　政策推动外资和技术引进，但外贸体制改革初期，外贸公司统负盈亏，工业企业不直接参与，造成出口产品质量差。

　　外贸体制改革，经营权下放，出口承包责任制。但光刻领域，国外垄断加剧，阿斯麦尔崛起。中国进口多，自主弱。

　　2000年后，全球光刻市场几家垄断，阿斯麦尔占大头。2010年代，国外到7纳米以下，中国主流28纳米。

　　2002年，国家重启光刻机专项，成立上海微电子装备公司。团队从45所调入，推出90纳米机型。但核心部件受限，进口渠道收紧。

　　2016年，量产90纳米、110纳米和280纳米机型。2018年，中科院超分辨光刻装备验收，分辨率达22纳米。

　　2024年，工信部推广氟化氩光刻机，波长193纳米，分辨率≤65纳米，套刻精度≤8纳米，晶圆直径300毫米。

　　这比上海微电子90纳米进步，但与阿斯麦尔最新NXT:2100i分辨率38纳米、套刻精度0.9-1.3纳米相比，差距明显。

　　当前，中国光刻机在DUV领域有突破，但EUV仍攻关中。上海微电子能量产90纳米分辨率机型，28纳米有希望国产化。

　　多重曝光下，能实现14纳米量产。但高端EUV光刻机核心部件禁运，光学镜头、光源等依赖美国和欧洲。

　　尼康和佳能早放弃更先进研究，业务在中低端。阿斯麦尔成功靠资金和技术积累，1995年上市后发展快，2010年首台EUV机型。

　　凯发k8天生赢家

　　八十年代开放，买办思想上头，觉得买现成省心。结果技术空窗，人才散，产业链断。国外封锁时，就卡脖子。像华为芯片事件，暴露问题。

　　中国半导体起步与美国差七年，但“造不如买”思路影响，产业被打压。九十年代，技术引进成双刃剑，引进资本发展快，但依赖增加，制裁时难招架。

　　现在，中国摒弃“造不如买”，聚焦自主研发。国产光刻机有进展，但积累需时间。

　　高盛报告说，中国缺乏先进光刻扫描仪能力，零部件全球生产，主要在美国和欧洲。ASML从65纳米到3纳米，花20年，投400亿美元。中国追赶需类似投入。