K8(凯发中国)凯发-天生赢家·一触即发

关于我们 联系我们

咨询电话: 13704000378

当前位置: 主页 > 新闻资讯 > 行业动态

苏州矽行半导体申请基于RCWA改进算法的光刻装置及方法专利提高了整体光刻精度和效率!

发布于 2026-02-14 23:48 阅读(

  

苏州矽行半导体申请基于RCWA改进算法的光刻装置及方法专利提高了整体光刻精度和效率

  国家知识产权局信息显示,苏州矽行半导体技术有限公司申请一项名为“基于RCWA改进算法的半导体光刻装置和光刻仿真优化方法”的专利,凯发k8公开号CN121500677A,申请日期为2025年11月。

  专利摘要显示,本发明提供了一种基于RCWA改进算法的半导体光刻装置和光刻仿真优化方法,属于半导体光刻领域,半导体光刻装置包括光刻光学系统、晶圆运动台、掩膜版机构、远场成像仿真系统和控制器;光刻仿真优化方法包括系统建模、RCWA计算获取近场电场分布、远场成像计算及远场电场分布获取、光刻胶模型计算及图形生成、误差评估与参数优化和输出光刻方案。本申请基于CPU协调分配的GPU计算集群模组运行矩阵指数计算的RCWA改进算法,实现了多层结构场计算的速度提升;方案通过仿真优化光源参数和掩模板参数并确定最终的光刻方案,提高了整体光刻精度和效率,便于在光刻加工领域推广应用。

  天眼查资料显示,苏州矽行半导体技术有限公司,成立于2021年,位于苏州市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本12626.2625万人民币。通过天眼查大数据分析,苏州矽行半导体技术有限公司参与招投标项目1次,财产线条,此外企业还拥有行政许可10个。

  声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

  特别声明:以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布,本平台仅提供信息存储服务。

  谁打满65场,谁就是MVP?约基奇已缺16场,077缺12场,文班缺14场

  特朗普称以总统应为不赦免内塔尼亚胡“感到羞愧”,赫尔佐格回击:我才是以色列总统

  巴基斯坦卫星搭乘中国火箭成功升空,巴总理:巴基斯坦取得又一个太空事业里程碑

  LCK第一阶段:Chovy爆炸输出打穿对位,GEN战胜DK进胜者组决赛