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马斯克宣布将在美国建设芯片制造中心 目标量产2纳米工艺芯片!

发布于 2026-03-25 07:48 阅读(

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马斯克宣布将在美国建设芯片制造中心 目标量产2纳米工艺芯片

  当地时间21日,马斯克宣布将在美国得州奥斯汀建设一个芯片制造中心。这个项目将由

  马斯克表示,新的芯片制造中心将整合芯片制造的全流程,包括设计、光刻、封装、测试等,当前的目标是量产2纳米工艺芯片。制造中心将有两座晶圆厂,一座生产汽车和所需芯片,另一座则生产用于太空的芯片。

  马斯克称,目前全美每年制造的芯片算力总计约0.5太瓦,而这个新的芯片制造中心最终将实现每年1太瓦算力产出。马斯克表示三星、台积电等制造商的扩产速度有限,而他旗下的公司推进和太空等项目需要大量芯片,全球制造能力只能满足他们未来约2%的需求,如果不自建工厂,这些项目就会面临无芯片可用的情况。

  本次马斯克并未给出这座芯片制造中心具体的投资金额以及建设生产时间表。作为参考,在美国计划投资总额已升至1650亿美元,项目规划包括6座晶圆厂,量产2纳米工艺芯片的时间点可能在2029年左右。