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　　。而本次技术公告中最值得关注的一点，或许是台积电正式确立了面向新一代工艺节点的

　　台积电业务开发暨全球销售资深副总裁、首席运营官助理张晓强(KevinZhang)表示：

　　“去年我们公布了A14工艺，作为第二代纳米片晶体管技术，计划于2028年量产。”

　　“今年我们将推出A14的衍生工艺，包括A13与A12，两者均计划2029年量产。A13是A14的渐进式增强版，主要通过光学微缩实现，芯片面积可缩减约6%，同时保持完整的设计规则与电气兼容性，让客户只需极少的重新设计就能受益。”

　　过去，台积电营收的绝大部分来自智能手机行业，但近年来AI与高性能计算（HPC）的增速已超越手机终端。这一点在公司规划中体现得十分明显：台积电最新路线图明确采用分岔式战略，根据终端市场需求划分先进工艺节点，而非追求“一刀切”方案。

　　据此，台积电将采用全新的工艺发布策略：每年为消费级终端推出一款新工艺，每两年为重型AI与HPC应用推出一款新工艺。

　　一方面，N2、N2P、N2U、A14、A13等工艺面向智能手机与终端设备——在这些领域，成本、能效、IP复用至关重要，高度的设计兼容性备受欢迎；只要台积电能每年推出新一代节点，小幅性能提升也可被接受。

　　另一方面，A16、A12等节点面向AI与HPC应用，必须提供显著的性能提升以justify技术切换成本，成本则相对次要。这些节点将集成超级电源轨（SPR）背面供电架构，以解决AI数据中心与HPC负载的供电完整性与电流传输限制，并带来实打实的性能、功耗与晶体管密度提升——尽管发布节奏为两年一代。

　　去年台积电推出A14工艺，将采用第二代环绕栅极（GAA）纳米片晶体管，借助NanoFlex Pro技术提供更强设计灵活性，预计2028年成为台积电面向高端手机与终端设备的旗舰工艺。今年，台积电宣布推出基于A14的A13。

　　台积电A13是A14的光学微缩版，旨在以最小改动进一步提升效率。A13将线%（至约97%比例），晶体管密度提升约6%，同时与A14保持完全兼容的设计规则与电气特性。从多个角度看，A13延续了台积电长期以来的光学微缩传统（如N12、N6、N4、N3P），只是此前这类工艺通常能带来更显著的收益。该方案让台积电客户可几乎无需重新设计就能复用现有IP，只是性能提升相对有限。A14

　　将实现全节点级的功耗、性能与密度升级，但芯片与IP设计者必须采用全新工具、IP与设计方法才能释放其潜力。相比之下，A13通过设计技术协同优化（DTCO）实现渐进式提升，且无需更改任何设计即可获得收益。A13预计2029年投产。

　　2028年推出全新A14节点外，台积电还计划通过N2U为客户提供低成本升级N2架构设计的途径。N2U是N2平台的第三年延伸版本，通过DTCO实现：同功耗下性能提升约3%–4%，同频率下功耗降低约8%–10%，逻辑密度小幅提升2%–3%。该节点将保持与N2P IP兼容，使客户（尤其是消费电子领域）无需切换至全新工艺即可开发新产品，避免巨额成本投入。例如，某企业若计划2027年基于N2P高端芯片IP开发中端产品，可在2028年直接使用N2U实现。张晓强称：

　　“我们将通过N2U持续扩展2nm平台，借助设计技术协同优化进一步提升性能、功耗与密度。我们的战略是在每个节点推出后持续迭代优化，让客户最大化设计投资回报，同时获得渐进式的PPA（性能、功耗、面积）收益。”A16

　　N2将同时面向消费终端与数据中心应用，公司也正在研发搭载超级电源轨背面供电架构的A16工艺，专为高性能数据中心场景定制。简单来说，A16就是带SPR的N2P，基于第一代GAA纳米片晶体管，相比N2、N2P提供显著的功耗、性能与密度优势，当然成本也更高。值得注意的是，台积电目前将

　　A16列为2027年量产工艺，较此前2026年的时间表有所推迟。张晓强表示：

　　“A16将在2026年准备就绪，但实际产品上量取决于客户，我们预计2027年进入大规模量产。这也是我们将其时间线年的原因。”有趣的是，A16

　　的推出并不会取代N2X——后者是N2P的性能增强版，采用传统正面供电，将N2系列设计频率推至极限。A16之后将由

　　A12接棒，后者计划2029年问世，预计将为台积电数据中心级节点带来全节点级代差优势。尽管台积电未披露具体数据，A12相对于A16的提升幅度，可对标A14相对于N2的水平，因其将采用第二代GAA纳米片晶体管与NanoFlex Pro技术。张晓强称：“A16

　　是我们第一代搭载超级电源轨（背面供电）的技术。A12则是下一代……将同步微缩正面与背面结构，实现整体密度收益。”高NA EUV凯发k8