K8（凯发中国）凯发-天生赢家·一触即发

　　

　　智能纪元AGI 6月25日消息，IBM在纽约宣布，全球首款亚1（sub-1）纳米、实际是0.7nm制程的芯片原型发布。

　　这颗芯片采用全新的纳米堆叠（Nanostack）晶体管架构，实现0.7纳米（7埃米）制程节点，指甲盖大小的芯片塞进了近1000亿个晶体管，密度是其2021年发布的2纳米芯片的近两倍。

　　IBM同时抛出一个数字：相比自家2纳米节点，性能最高提升50%，或能效提升70%。

　　IBM预计，纳米堆叠技术将在亚1纳米节点率先得到应用，并认为最快在5年内即可实现量产路径。

　　5年——这个时间表如果被遵守，将是IBM公司，甚至是整个半导体与集成电路行业历史上最快的“从实验室到晶圆厂”速度之一。

　　受此消息影响，6月25日，IBM美股盘前涨超6%，现报280.495美元。

　　首先，这颗0.7芯片不是台积电、三星，也不是英伟达、英特尔这些芯片公司研发，而是计算机软件巨头IBM公布，这事就很有趣了。

　　事实上，IBM 芯片业务全程以自主研发为核心，未开展过大规模半导体企业收购，技术积累完全依托内部研究院完成。 1957年，IBM 正式确立全产品线固态电路战略，全面放弃电子管技术路线，启动双极型晶体管与半导体器件自研，正式进入芯片领域。 1960年，IBM研发出倒装芯片封装技术，成为后世芯片封装的基础技术方案；1966年IBM研究员 Robert Dennard 发明单晶体管 DRAM（动态随机存取存储器）结构，同年推出全球首款量产商用 DRAM 芯片，首先搭载于 IBM System/370 系列大型机。 1970年代，IBM启动 RISC（精简指令集）架构的前置研发，为后续 Power 系列处理器奠定基础。 1980 年代末发明硅锗（SiGe）BiCMOS 工艺，推出的硅锗专用射频芯片被广泛应用于无线 年，IBM 联合摩托罗拉、苹果成立 PowerPC 联盟，共同研发基于 Power 架构的通用处理器，打破 x86 架构在个人电脑与服务器领域的垄断，Power芯片后续成为 IBM 小型机、大型机的核心算力载体。

　　1997年，IBM 推出了全球首个铜互连芯片制造工艺，取代沿用数十年的铝互连技术，大幅降低芯片功耗、提升运行主频，很快成为全行业通用的下一代制程标准。

　　2001年，IBM研发出应变硅（Strained Silicon）技术，通过硅原子应力提升晶体管载流子迁移率，进一步挖掘硅基芯片性能潜力，以及利用自研高 K 金属栅极工艺，解决了纳米级晶体管的栅极漏电问题，为 45nm 以下先进制程的量产扫清了核心技术障碍。

　　2014 年 10 月，IBM 宣布以倒贴15亿美元的价格，将旗下全球商业半导体业务整体出售给代工厂商格罗方德（GlobalFoundries），交易标的包括 ASIC 定制业务、纽约东菲什基尔和佛蒙特州埃塞克斯章克申两座晶圆厂、超 1.6 万项半导体相关专利、约 5000 名芯片制造与技术员工，同时约定格芯成为 IBM 未来 10 年 22nm、14nm、10nm 节点服务器芯片的独家代工厂。

　　这意味着，IBM 彻底退出芯片制造环节，仅保留半导体前沿技术研发、高端处理器设计两大核心能力。

　　而退出制造环节后，IBM 转向 “架构设计 + 前沿工艺研发 + 外部代工合作” 的轻资产模式，未再进行芯片制造领域的重资产投入，也未开展大规模芯片企业并购。 时隔7年后的2021年，IBM却发布面向 z 系列大型机的 Telum 处理器，片上集成专用 AI 推理加速器，支撑企业级实时 AI 负载。 同年 5 月，IBM发布全球首个 2nm GAA（环绕栅极）晶体管工艺技术，在先进制程领域保持技术领先性。 2023 年前后，IBM与三星、英特尔达成先进制程代工合作，将未来高端处理器的生产交由头部代工厂完成。 2025 年 5 月，IBM 宣布与封装厂商 Deca Technologies 合作，在加拿大布罗蒙特工厂布局扇出型晶圆级先进封装产线，补强小芯片（Chiplet）集成的本土化供应链能力。 如今，k8凯发集团时隔五年，IBM再下一城，领先推出0.7nm芯片产品。 事实上，IBM的2纳米芯片直到2024年才小批量出货，中间隔了3年。而0.7纳米比2纳米激进得多，跨代中间还要解决High NA EUV光刻量产、埃米级良率控制、整套EDA工具链适配等一连串工程问题。 5年意味着，IBM对自己从今天起要解决的清单相当乐观。

　　IBM报告了三项实验验证：CMOS集成中的超薄介质键合、双通道工程技术演示、CMOS反相器具备预期开关性能。

　　另一项发表于2026年VLSI的研究显示，纳米堆叠让SRAM实现了40%的缩放——这是芯片上最吃面积的存储单元，对AI芯片尤其关键。

　　在芯片产业链层面，纳米堆叠技术依赖一个关键工具：高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV）。

　　IBM位于纽约州奥尔巴尼的设施即将成为其中一台的落户地，合作方包括泛林集团、东京电子和SCREEN Semiconductor Solutions,——基本包揽了全球高端刻蚀和清洗设备。三方已经在新工艺下产出了可工作的器件，但离量产还有相当距离。

　　IBM把0.7纳米（7埃米）当作亚1纳米时代的起点，意义更多在于给行业立一个可对照的标杆，而不是说量产芯片线个原子宽的线宽。

　　把这件事放回更长的尺度看：IBM的半导体研究从1960年代延续至今，今天的纳米堆叠是这家公司数十年路线图里的最新一笔。它能不能、什么时候把原型变成你手机或AI服务器里的硅，是另一个故事。