K8（凯发中国）凯发-天生赢家·一触即发

　　这套高数值孔径极紫外光刻系统与一整套完整的图形化、量检测设备及材料直接集成，将助力

　　“过去两年是高数值孔径（0.55NA）极紫外光刻技术发展的重要篇章，Imec 与ASML携手产业生态，在荷兰费尔德霍芬的联合高 NA EUV 光刻实验室共同开创了高 NA 极紫外技术。”Imec 首席执行官卢克・范登霍夫表示，“随着EXE:5200高 NA EUV 光刻系统在比利时鲁汶的 300 毫米洁净室完成安装，我们致力于将这些高 NA 极紫外图形化技术推向产业适用规模，并开发下一代高 NA 极紫外光刻应用场景。其无与伦比的分辨率、更优的套刻精度、高产能，以及全新的晶圆存储单元（可提升工艺稳定性与产能），将为我们的合作伙伴在加速 2 纳米以下芯片技术研发方面带来决定性优势。随着产业进入埃米时代，高 NA 极紫外光刻将成为一项基石级能力，Imec 很荣幸能够率先引领，为合作伙伴提供最早、最全面的技术接入渠道。”

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　　这一里程碑是 Imec 与ASML五年战略合作的关键部分，该合作得到了欧盟（芯片联合执行机构与欧洲共同利益重大项目 IPCEI）、比利时弗拉芒政府及荷兰政府的支持。

　　范登霍夫补充道：“作为欧盟资助的 NanoIC 中试线的核心组成部分，该设备将在未来数十年巩固欧洲在先进半导体研发领域的领先地位方面发挥关键作用。”

　　ASMLEXE:5200高 NA EUV 光刻系统入驻 Imec 洁净室，稳固了 Imec 作为全球最完备先进图形化研发平台的地位。Imec 与头部芯片制造商、设备、材料及光刻胶供应商、掩膜企业和量检测专家深度生态协作，将加速技术迭代周期、提升工艺稳定性，开发并验证面向下一代逻辑与存储器件的前沿图形化技术，推动突破性创新，塑造未来先进计算与人工智能的发展格局。

　　ASML 首席执行官克里斯托夫・福凯表示：“Imec 完成 EXE:5200 装机，标志着产业向埃米时代迈出重要一步。我们将共同拓展高 NA 极紫外光刻技术，服务于下一代先进存储与计算芯片。”

　　Imec 预计 EXE:5200 高 NA EUV 光刻系统将于2026 年第四季度全面通过验证。与此同时，ASML 与 Imec 在荷兰费尔德霍芬运营的联合高 NA EUV 光刻实验室将继续运行，保障 Imec 及其生态伙伴的高 NA 极紫外研发工作持续推进。