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　　光刻工艺的核心在于将掩模版上的图形精确转移到晶圆表面，其成功依赖以下三要素：

　　补充：除三要素外，显影/刻蚀工艺（将光刻胶图形转为晶圆结构）和工艺控制（温度、湿度、振动抑制）也是成功关键。

　　趋势：纳米压印（NIL）、自组装（DSA）等替代技术正在研发中，但目前仍以光刻为主导。

　　通过核心三要素的协同优化和持续技术迭代，光刻仍是半导体微纳制造不可替代的基石工艺。

　　一、光刻工艺概述 光刻工艺是半导体制造的核心技术，通过光刻胶在特殊波长光

　　光刻工艺贯穿整个芯片制造流程的多次重复转印环节，对于集成电路的微缩化和高性能起着决定性作用。随着半导体制造工艺演进，对光刻分辨率、套准精度和可靠

　　“ 光刻作为半导体中的关键工艺，其中包括3大步骤的工艺：涂胶、曝光、显影。三

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　　会导致沉积薄膜厚度的不均匀，影响随后的光刻和蚀刻过程中创建电路图案的精度。对光刻工艺的影响：影响聚焦；不平整的晶圆，在光刻过程中，会导致

　　先进光刻工艺EUV相关知识，适合对半导体工艺有兴趣的人员，或者是从事光刻工艺的工程师

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　　光刻是集成电路工艺中的关键性技术。在硅片表面涂上光刻胶薄层，经过光照、显

　　在万物互联，AI革命兴起的今天，半导体芯片已成为推动现代社会进步的心脏。而光刻(Lithography)技术，作为先进制造中最为精细和关键的工艺

　　光照条件的设置、掩模版设计以及光刻胶工艺等因素对分辨率的影响都反映在k₁因子中，k₁因子也常被用于评估光刻工艺的难度，ASML认为其物理极限在0

　　外，学生还就感兴趣的课题做深入调研。师生共同讨论调研报告，实现教学互动。调研的内容涉及光刻工艺、光刻成像理论、SMO、OPC和DTCO技术。

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　　传统的光刻工艺是相对目前已经或尚未应用于集成电路产业的先进光刻工艺而言的，普遍认为 193nm 波长的 ArF 深紫外光刻工艺是分水岭（见下表）

　　关于光刻工艺的原理，大家可以想象一下胶片照片的冲洗，掩膜版就相当于胶片，而光刻机就是冲洗台，它把掩膜版上的芯片电路一个个的复制到光刻胶薄膜上