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　　摘 要：光刻是利用特定工艺将掩膜板上的集成电路图形印制到硅片上的精密表面加工技术。在集成电路制造工艺中，光刻是最为重要的工艺之一。它决定着芯片的最小特征尺寸，占芯片制造时间的40-50%，并且占制造成本的30%。本文通过对光刻工艺的主要步骤的分析，研究了正胶及负胶的特性，探讨了未来光刻工艺发展的方向。

　　集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是20世纪60年代初期发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。

　　光刻是利用曝光和光刻胶的选择性化学腐蚀，在半导体晶体表面的掩模层刻制出图形的工艺。自从它在1959年被发明以来，就成为半导体工业最有用的工具。迄今为止，基本上所有的集成电路都是通过它制造的。它决定着芯片的最小特征尺寸，占芯片制造时间的40-50%，并且占制造成本的30%。

　　光刻的原理与印相片相同，涂在硅片上的光刻胶相当于相纸，掩模相当于底片。光学光刻是由投影光学系统和掩模版相结合来产生光刻图形的。曝光方式普遍采用分布重复投影式曝光，即将一组图形重复上百次制作在一大片硅片上。……凯发k8天生赢家凯发k8天生赢家