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　　半导体制造工艺 KrF 光刻工艺技术 随着 IC 技术向深亚微米方向发展,光学光刻的发展也进入了一个崭新的阶段。近几年 248nm和 193nm 技术的发展带动了 IC 产业进一步的辉煌，半导体制造工艺迎来了 90nm 的时代。下一个研究开发的焦点将转移到 65nm 工艺，目前最引人注意的是利用 193nm ArF 作为光源的浸没式光刻技术。248nm KrF 光刻技术已广泛应用于 0.13μ m 工艺的生产中，主要应用于 150，200 和 300mm 的硅晶圆生产中。 随着 IC 技术向深亚微米方向发展,光学光刻的发展也进入了一个崭新的阶段。近几年 248nm和 193nm 技术的发展带动了 IC 产业进一步...

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　　半导体制造工艺 KrF 光刻工艺技术 随着 IC 技术向深亚微米方向发展,光学光刻的发展也进入了一个崭新的阶段。近几年 248nm和 193nm 技术的发展带动了 IC 产业进一步的辉煌，半导体制造工艺迎来了 90nm 的时代。下一个研究开发的焦点将转移到 65nm 工艺，目前最引人注意的是利用 193nm ArF 作为光源的浸没式光刻技术。248nm KrF 光刻技术已广泛应用于 0.13 m 工艺的生产中，主要应用于 150，200 和 300mm 的硅晶圆生产中。 随着 IC 技术向深亚微米方向发展,光学光刻的发展也进入了一个崭新的阶段。近几年 248nm和 193nm 技术的发展带动了 IC 产业进一步的辉煌，半导体制造工艺迎来了 90nm 的时代。下一个研究开发的焦点将转移到 65nm 工艺，目前最引人注意的是利用 193nm ArF 作为光源的浸没式光刻技术。248nm KrF 光刻技术已广泛应用于 0.13 m 工艺的生产中，主要应用于 150，200 和 300mm 的硅晶圆生产中。在实际的工艺中，剥离工艺和腐蚀工艺都是形成光刻图形的手段，两种工艺在工艺设计中存在一定的差异。 剥离工艺与常规的干法刻蚀工艺的主要区别是剥离工艺用的是物理方法，而腐蚀工艺用的是化学方法，所以两者对工艺要求的不同点是光刻图形的形貌。在 248nm KrF 光刻和 i-Line 光刻工艺中，光刻胶在化学性能方面有着比较大的不同，同时两种光刻机所使用的光源完全不同，利用 248nm KrF 光刻技术实现一些在半导体制造中的特殊工艺，特别是在目前发展比较迅速的化合物半导体的生产中有着非常重要的意义。 2 工艺原理和工艺中的问题 2.1 剥离工艺 剥离工艺是一些特殊工艺中形成图形的比较简单的物理方法，优点是可以使用多种材料组合，允许多层金属蒸发，允许腐蚀较困难的多层金属布线，避免了因干法和湿法腐蚀带来钻蚀(undercut)和腐蚀问题。剥离工艺注重的是光刻胶所形成的形貌，它是剥离工艺的关键（如图 1）。光刻胶经过特殊处理后形成适合剥离的光刻胶的形貌图。倒梯形的光刻胶形貌是剥离工艺中必须满足的条件。蒸发后的条宽与光刻胶的剖面同样关系密切，进入亚微米以后，由于蒸发过程中衍射和自掩蔽效应、蒸发过程中的入射角度问题，给剥离工艺带来较大的困难，所以 248nm KrF 光刻工艺中的工艺优化显得尤为重要。248nm KrF 光刻工艺比 i-Line具有分辨率高、能够光刻出更细的线条来满足工艺的要求等优点。对于常规的腐蚀工艺，248nm KrF 光刻能够制作出 0.15 m 的线条，但对于剥离工艺的要求，只能达到 0.25 m 的金属图形，因为两种工艺的要求和设计有非常大的区别，同时采用的工艺途径也有很大的区别，所以说，对于不同的工艺路线，在同种的光刻中要注意的问题就有不同的侧重。采用248nm KrF 技术是为了提高光刻图形的分辨率，同时带来了光学临近效应，在版图设计时是必须考虑的问题。 2.2 成像原理 2.2.1 248nm 光源的形成 248nm 光源的形成是利用 F2 和 Kr 气体电离后产生的激光，反应过程如下