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　　日前，中国半导体产业研发机构上海集成电路研发中心宣布与国际光刻巨头ASML签订合作备忘录，将在上海合作共建一个半导体光刻人才培训中心。

　　其实，这并不是ASML与国内单位第一次合作——在几个月前，上海微电子装备（集团）股份有限公司（SMEE）宣布与之签署战略合作备忘录。联系到近年来多家国内单位取得光刻机技术突破。也许在攻克光刻机技术难关方面，中国和很多领域一样，选择了两条腿走路的方式。

　　光刻机被业界誉为集成电路产业皇冠上的明珠，研发最新型的光刻机的技术门槛和资金门槛非常高。目前全球高端光刻机市场基本被荷兰ASML垄断，Intel、台积电、联电、三星、格罗方德、中芯国际等世界驰名的晶圆厂都是ASML的大客户。最先进的EUV光刻机全球仅仅ASML能够生产——Intel、三星、台积电用来加工10nm芯片的光刻机都是购买自ASML。

　　正是因为技术上的垄断地位，以及光刻机本身研发成本高、制造成本不菲，ASML的EUV光刻机售价非常高，在去年第三季度和第四季度出售的两台EUV光刻机售价都超过1亿美元，落后EUV一代的ArF光刻机平均售价也在4000万至5000万欧元左右。

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　　ASML之所以能在高端光刻机领域独占鳌头，本质上也是西方国家科学技术充分整合的体现，ASML生产光刻机所用的关键零部件，比如光源、物镜其实也是西方供应商提供，像加工光学仪器的机床等一些设备也是源自德国。此外，Intel、台积电、三星都是ASML的股东之一，向ASML提供资金。

　　相比之下，国内光刻机厂商则显得非常寒酸，处于技术领先的上海微电子装备有限公司已量产的光刻机中性能最好的是能用来加工90nm芯片的光刻机，技术差距说是鸿沟都不为过，正是因此，国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口。

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　　网上一些舆论很喜欢将中国在某个领域的技术水平和西方最先进的国家相比，然后得出一些非常悲观的结论。在光刻机方面，如果将中国与荷兰做对比也许就不那么合适了。毕竟中国在该项技术上，并非落后于某一个国家，而是在与整个西方的高端精密制造实力相较量。

　　正是因为高端光刻机是非常关键的半导体设备，国家对于实现高端光刻机国产化非常重视，《中国制造2025》将其列为了集成电路制造领域的发展重点。因此，即便在光刻机技术上中国与ASML的差距非常大，国内各单位其实也在刻苦攻坚，力争实现技术突破，以实现早日追赶上ASML。

　　在去年，成都光机所找到了一条能够绕开传统的193nm曝光的技术路线，利用长波长光源也可以得到一个突破衍射极限的分辨率的图形。在实验中，这种光刻机可以实现单次成像达到22纳米水平，如果结合多重曝光技术，就可以用于制备10纳米以下的信息器件。必须说明的是，这种技术如果能够产业化，那么相对于现有的技术而言，在成本上和安全性方面都会有一个很大的提升，而且成都光机所取得的技术突破是国内原创性技术。

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