K8（凯发中国）凯发-天生赢家·一触即发

　　

　　由于中美关税战的白热化，已经许久没有科技战，尤其是半导体之争的消息，近日，日本媒体却发现了不寻常，甚至开始提前害怕和警惕中国的成功，认为中国或将取代阿斯麦，这是为什么呢？

　　7月16日，《日经亚洲》发表了一篇题为“中国能造出自己的阿斯麦（ASML）吗？”的长篇报道。文章指出，中国正努力开发自己的光刻技术，而当中国成功的那一天，其他非中国供应商都将承受巨大压力。

　　在本轮中美关税战期间，科技领域的交锋尤为激烈。特朗普执政时期，曾试图升级对华芯片管制，不仅不许其他国家使用华为昇腾芯片，还禁止使用含有美国技术的芯片帮助中国企业。

　　面对如此严峻的外部压力，中国并没有坐以待毙。中方巧妙地打出“稀土牌”，在一定程度上扳回一局，使得特朗普收回成命。但经历此次风波，中国深知不能将希望完全寄托于外部，必须做好应对潜在科技战的充分准备。

　　2024年，中国从阿斯麦购买了价值约745亿元人民币的设备，这一举措看似出人意料，实则是深谋远虑。中国大量囤积芯片，一方面是为了应对美国可能进一步实施的出口管制。

　　谁都清楚，美国在芯片问题上反复无常，随时可能再次出尔反尔，而这些囤积的芯片能够在关键时刻保障国内部分企业的生产需求，不至于因美国制裁而陷入停产困境。

　　另一方面大量采购阿斯麦设备，也为中国的科研人员争取到了宝贵的时间，这种囤货策略，就像是为中国自主研发光刻技术构筑了一道缓冲带。在面对美国随时可能发动的制裁风暴时，中国企业能够有相对稳定的芯片供应，从而能够安心地投入到研发工作中，不必时刻担忧因芯片断供而导致的研发停滞。

　　也正因如此，日本媒体看到了中国在光刻技术研发上的决心和长远布局，不禁对未来市场格局的变化产生担忧。

　　中国最大的芯片制造商中芯国际及其同行，包括存储器制造商长鑫存储和长江存储，已在多个方面取得了显著进展。这些企业已用国产替代品替换了用于蚀刻、测量、沉积、化学抛光等工艺的外国工具。

　　以蚀刻环节为例，中微半导体的刻蚀机已进入台积电产线，这标志着中国在刻蚀设备领域的国产化取得了重大突破，也为光刻技术相关环节的国产化提供了有益的借鉴和示范。

　　成立于2002年的上海微电子装备（集团）股份有限公司，在光刻技术研发方面一直处于国内领先地位。目前，上海微电子已开发出或计划开发各类光刻工具，并且在一些关键技术指标上取得了重要突破。

　　其在90nm光刻机的量产方面已经取得了成功，虽然与ASML的先进制程光刻机相比仍有差距，但这是中国光刻技术发展的重要里程碑。同时，上海微电子在28nm光刻机的研发上也在持续攻关，不断缩小与国际先进水平的差距。

　　除了在传统光刻技术路线上的努力，中国还积极探索新兴的技术路线。例如，国内团队正在研发基于激光诱导放电等离子体（LDP）的EUV光源，与ASML的激光产生等离子体（LPP）技术形成差异化竞争。

　　一旦该技术研发成功，有望解决中芯国际等企业因无法获取ASMLEUV设备导致的5nm工艺良率与成本问题，为中国在高端芯片制造领域开辟一条新的道路。

　　此外在二维材料芯片、微纳光学器件、可拉伸电子器件等新兴领域，中国也在积极布局和探索，这些领域对光刻技术的要求与传统硅基芯片有所不同，中国有望在这些领域实现弯道超车。

　　尽管中国在光刻技术的一些方面取得了进展，但要实现与ASML相媲美的精度和规模化生产，仍面临巨大挑战。

　　复旦的“无极”芯片虽在二维材料集成方面取得突破，但当前晶体管数量仅5900个，远低于商用CPU的数十亿级规模，且其光刻所依赖的405nm波长与ASMLEUV的13.5nm相比差距甚远。

　　国产EUV试产机也需解决光源稳定性、光学镜组精度等核心问题，ASML的EUV系统包含10万零件，供应链涉及全球5000家供应商，中国要实现国产化，需要重构整个生态体系，这绝非一朝一夕之功。

　　光刻机设备具有极高的复杂性，其核心部件如光学系统、激光源等技术仍掌握在少数国外企业手中。目前，全球高端光刻机市场主要由荷兰的ASML以及日本的佳能和尼康垄断，中国在这些核心部件的技术水平上与国际先进水平存在较大差距。

　　ASML作为光刻技术领域K8凯发科技的行业领头羊，经过几十年的技术积累和市场耕耘，拥有着强大的技术垄断优势。美国为了维护其在半导体领域的霸权地位，通过出口管制等手段，限制中国获取先进的光刻技术和设备。

　　日本媒体《日经亚洲》发表文章表达对中国光刻技术发展的担忧，认为中国一旦在光刻技术上取得突破，将给非中国供应商带来巨大压力，甚至可能取代ASML。

　　中国在半导体设备领域的整体实力不断提升，已经涌现出许多足以和东京电子、科林研发等公司一较高下的“强劲竞争者”。中国企业在蚀刻、测量、沉积等工艺环节的国产化替代进展，让日本企业感受到了竞争的压力。

　　而且中国庞大的市场规模和持续增长的研发投入，也让日本媒体看到了中国在光刻技术领域的巨大潜力。中国拥有全球最大的半导体消费市场，这为国内企业提供了广阔的应用场景和发展空间。

　　同时中国政府和企业在半导体领域的持续投入，使得中国在技术研发上的进步速度不断加快。一旦中国在光刻技术上实现自主可控，不仅能够满足国内市场的需求，还可能凭借成本优势和技术创新，在国际市场上与ASML等企业展开竞争。

　　总之，中国斥资3440亿全力冲刺光刻技术，是中国在半导体领域实现自主可控的关键一步，未来，中国有望在光刻技术上取得重大突破，成为全球半导体产业的重要力量，甚至如日媒所担忧的那样，取代ASML在行业中的领先地位，重塑全球半导体产业格局。

　　参考资料：日媒：中国正努力开发自有光刻技术，囤积阿斯麦设备库存为取得突破赢得了时间