K8（凯发中国）凯发-天生赢家·一触即发

　　据Wccftech报道，近日全球半导体光刻设备龙头 ASML 阿斯麦接连释放重磅技术消息，确认其新一代研发取得里程碑式进展：EUV 光源功率将较当前主流水平提升 50% 至 1000W，晶圆生产效率实现跨越式跃升，单台设备每小时晶圆处理能力最高可达 330 片，这一突破有望为全球

　　据ASML首席技术专家 Michael Purvis 透露，此次1000W EUV 光源技术并非实验室短期演示成果，而是可在客户实际量产环境中稳定运行的完整系统方案。核心数据显示，搭载 凯发k81000W 光源的 EUV 光刻机，晶圆产能将从此前主流机型的每小时 220 片提升至 330 片，产能增幅达 50%，且单位晶圆产出的制造成本基本维持不变。这意味着芯片厂商无需额外扩建洁净室、新增产线布局，仅通过设备技术升级，就能实现先进制程芯片产能的大幅扩容。更值得关注的是，ASML 已明确表示，目前已经找到 1500W EUV 光源的清晰技术路径，理论上实现 2000W 的光源功率也不存在根本性的技术障碍，其在高端光刻领域的技术储备深度再度刷新行业认知。

　　想要实现 1000W EUV 光源的商业化落地，仍需突破全产业链的多重技术关卡。ASML 方面披露，全新光刻机的落地需要攻克六大核心环节：其一为已申请专利的三脉冲极紫外光生成技术，通过三步脉冲完成锡滴到极紫外等离子体的精准转化，目前尚未实现商用；其二是锡滴发生装置的升级，需将锡滴发射频率提升近一倍至每秒 10 万个；其三是全新杂质收集装置的研发，解决锡滴数量激增带来的晶圆杂质残留问题；其四是高透射投影光学系统的迭代，保障高功率光源能精准传导至晶圆；同时还需完成晶圆台、掩模台的同步升级，以及配套光刻胶、晶圆保护膜的全产业链适配，一台高端光刻机的落地，需要整个半导体产业链的协同发力。

　　从官方公布的产品路线W EUV 光源目前尚未纳入 ASML高低数值孔径（NA）的官方技术路线规划中。低 NA 赛道，针对 1.xnm 工艺节点设计的 Twinscan NXE:4000F 光刻机计划 2027 年面市，每小时产能超 250 片；2029 年将推出迭代款 NXE:4200G，产能提升至每小时 280 片以上。高 NA 赛道，新一代EXE:5200C 光刻机将于 2027 年正式登场，每小时产能超 185 片，套刻精度优于 0.9nm；2029 年将推出 EXE:5400D，产能突破每小时 195 片。而搭载 1000W 光源的全新 EUV 光刻机，预计正式面世时间将在 2030 年或更晚。

　　在 ASML 持续领跑全球高端光刻赛道的同时，国产光刻机产业也在稳步推进自主化突破。目前，上海微电子已实现28nm 节点 DUV 光刻机的商业化交付，可满足成熟制程芯片的量产需求，填补了国内高端光刻设备的核心空白。在更先进的 EUV 光刻领域，国内产业链也实现多点攻关：长春光机所、上海光机所等科研机构在 EUV 光源、高精度光学系统等核心环节持续取得技术突破，配套的光刻胶、精密运动台、光学元器件等产业链环节也在加速国产化替代。

　　不过行业内也客观指出，国内光刻设备与 ASML 的顶尖 EUV 技术仍存在显著代差，先进制程光刻设备的自主化仍有较长的路要走，需要产业链上下游长期持续的研发投入与协同攻关。整体来看，ASML 此次 1000W EUV 光源的技术突破，进一步巩固了其在全球高端光刻设备领域的垄断地位，也为先进制程芯片的规模化量产铺平了道路；而国产光刻产业的稳步追赶，也正在为全球半导体产业链的多元化发展注入新的可能。