K8（凯发中国）凯发-天生赢家·一触即发

　　

　　谁能想到，在被EUV光刻机卡住脖子的至暗时刻，中国存储军团竟能绝地反击，仅用一年时间就逼得韩国媒体集体破防？

　　当三星、SK海力士还在为EUV光刻机抢破头时，中国长鑫存储却绕开了这道铁壁，用一套键合DRAM工艺改写了游戏规则，没有EUV，照样能盖起存储芯片的“摩天大楼”。

　　韩国《经济日报》近日发文焦虑感叹，曾经被他们嘲讽只会做低端内存的中国企业，如今新产线已动工，甚至喊出了打败韩国的口号。

　　这似曾相识的一幕，恰如当年韩国反超日本存储的翻版。长鑫到底祭出了什么“神仙操作”，竟让全球存储格局瞬间生变？中国存储产业这步“破局之棋”，又是否意味着中韩攻守之势正在悄然易位？

　　现在的内存芯片，不管是普通DDR还是AI用的HBM，颗粒制程都已经进入10纳米级别，还在往更小的节点推进。

　　在这个尺度上，光靠DUV光刻机远远不够，必须上EUV。所以2025年以来，凯发k8天生赢家三星和SK海力士都在疯狂采购EUV设备。

　　根据专业机构统计，三星累计采购了55台，SK海力士也有26台。对长鑫来说，按照传统工艺只配置DUV光刻机的前提下，做到15纳米节点基本就到头了。

　　但中国工程师的词典里从来没有等死两个字。买不到EUV怎么往下走？长鑫拿出了两套组合拳，一套是多重曝光，一套就是键合DRAM工艺。

　　多重曝光技术我们之前聊过多次，拿DUV光刻机通过复杂算法和多块掩膜板在一张晶圆上反复雕刻，刻出更精细的电路。

　　长鑫就是靠这个把节点继续往下推。不过多重曝光只能算防御手段，真正让韩国人感到压力的是键合DRAM工艺。

　　传统的DRAM芯片有两部分，一部分是用来存数据的存储阵列电容，另一部分是负责发号施令的外围电路。传统做法是把这两部分平铺在同一块晶圆上。

　　这种平铺方式有三大缺点。第一，要提升存储性能就得用EUV雕刻更精细的存储阵列，可外围电路也在同一块晶圆上，也会被EUV雕刻，等于用大炮打蚊子，太浪费。

　　第二，做存储阵列的时候要经过极高温度的烘烤，但外围电路是个脆皮，特别怕热，工程师两头受气，只能在中间勉强找平衡。第三，外围电路占用了晶圆面积，真正用来存数据的存储阵列面积被严重压缩。

　　长鑫搞出来的键合DRAM工艺直接把这套玩法的底层逻辑给改了。平铺不好住那就盖高楼，把存储阵列和外围电路彻底分开，放在两块独立的晶圆上分别加工。

　　存储阵列为了达到更高存储密度，用多重曝光技术来雕刻，外围电路用成熟的光刻工艺就行。

　　然后通过晶圆对晶圆的混合键合工艺，把两块芯片垂直叠在一起。这样一来上层晶圆百分之百的面积全都用来存数据，存储密度和容量直接原地起飞。

　　有人会说这种堆叠有什么稀奇的，AI用的HBM芯片不早就用了类似的堆叠工艺吗？其实完全不同。

　　传统的HBM堆叠像是修了上下两层楼再建几个电梯，但电梯再多也有物理间隔，数据跑过去不仅慢还疯狂发热。

　　长鑫的键合DRAM用的是混合键合技术，两块晶圆表面被磨得极其平整，在原子吸引力下直接融合成一体。贴合之后就跟一块板子似的，导电性极佳，连功耗都压了下来。

　　键合DRAM工艺这么出色，三星和SK海力士为什么不自己搞？其实韩国厂商也在探索相关技术。但他们太精明了。

　　一方面混合键合技术对产线的洁净度、抛光精度要求极其苛刻，稍微有点问题整张晶圆就直接报废，成本太难看。另一方面他们有EUV，在传统路线上搞渐进式升级就够用了。

　　既然能轻松赚钱，谁愿意去开辟高风险的产线呢？长鑫就不一样了。长鑫明白市场能等但他们不能等，一旦制程微缩到13纳米以下，DUV就会遇到物理极限。

　　想要绕过EUV实现突围，必须搞键合DRAM，必须走先进封装这条路。这是一场没有退路的攻坚战，长鑫别无选择只能向前。

　　长鑫的选择跟过去几年中国半导体的战略方向高度一致，押注多重曝光加先进封装，用技术路线创新来弥补设备上的短板。凯发k8天生赢家

　　这几年我们在买不到EUV光刻机的情况下，产业界达成了共识，用多重曝光加先进封装来对冲制程微缩的落后。

　　长江存储就是最好的例子。他们死磕Xtacking架构，难道只是为了做一块固态硬盘吗？实际上长江存储通过Xtacking工艺把混合键合玩到了世界第一。

　　数据很说明问题，2017年到2024年初，长江存储累计披露了119项混合键合相关专利，而三星只有83项，SK海力士更少只有11项。

　　三星为了开发V10（430层）三堆叠NAND，已经跑去找长江存储寻求专利授权。这在韩国存储霸主的历史上几乎没有先例，足见技术实力的逆转已经让对手不得不低头。

　　正是因为有了长江存储、中芯国际这些大哥在前面探路，硬生生把国产的键合设备、抛光设备、清洗设备都给喂成熟了，建立起了完备的国产封装供应链。

　　混合键合工艺涉及的设备种类很多，从晶圆减薄到表面激活，从清洗到对准键合，每一个环节都曾经是卡脖子节点。

　　但这些年在国内厂商反复试错和迭代下，设备性能稳步提升，成本持续下降。当初被认为遥不可及的工艺门槛，现在已经成了国产半导体产线上的常规操作。

　　所以长鑫才能以惊人的速度推进。除了正在建设键合DRAM的产线，还利用多重曝光加先进封装的技术不断升级改造旧工艺，推进HBM的专用产线。

　　据报道长鑫的HBM3以及HBM3E也将很快过审。这种推进速度背后是整条供应链的成熟，不是哪一家公司单打独斗能实现的。

　　从另一个角度看，韩国媒体的态度转变最能说明问题。前几年提到中国存储，韩媒基本是中国制造等于低性能的调调。但今年完全不一样了。

　　韩国经济日报在报道最后说了大实话，他们承认韩国今天能主导全球存储产业，很大程度上是靠美国对中国的半导体制裁撑起来的。

　　但问题是这种政治屏障能为韩国存储创造多长的黄金窗口？堤坝筑得再高也挡不住中国半导体的奋起直追，这个道理韩国人自己比谁都清楚。

　　数据摆在眼前。2025年第二季度到2026年第一季度，长鑫的全球DRAM市场份额从3.97%一路飙升到8%。

　　从过去不被统计到如今稳居全球第四大DRAM原厂，这个增长速度在存储行业的历史上都属罕见。

　　中韩在存储领域的技术差距已经从5年以上缩小到3年左右。部分下一代技术领域，中国甚至已经实现了反超。

　　首尔大学教授的警告说得很直白，一旦华为等中国本土AI芯片厂商开始内部采购HBM并积累实战经验，良率和稳定性可能比预期更快步入正轨。

　　这话不是危言耸听，存储芯片的竞争力很大程度上取决于规模效应和工艺成熟度。有了国内庞大的AI算力需求做支撑，长鑫的HBM产品就能在实战中快速迭代，这是任何实验室都无法提供的加速器。

　　键合DRAM这个技术突破，表面上看是长鑫一家公司的胜利，背后是整个中国半导体产业链协同作战的结果。长江存储在NAND领域积累的混合键合专利优势同样适用于DRAM战场。

　　两家国产存储巨头正在探索合作方案，长鑫提供DRAM，长江存储提供混合键合技术，共同攻关下一代HBM产品。这种产业协同的效应不容小觑。

　　具体产品层面长鑫的DDR5已经在AMD平台上突破了频率上限，从6800MT/s提升到8000到8200MT/s。

　　安卓品牌手机中长鑫存储的搭载率已经突破30%，供应链人士预估很快就能摸到50%的水位线。

　　产能方面长鑫今年年底月产能预计达到35万片晶圆，仅落后美光约3.5万片。如果完成上海上市募资的295亿元，2028年月产能有望提升到50万片。

　　HBM战场同样在加速。长鑫已经启动HBM3的量产工作，计划将20%的产线转为HBM专用。AI数据中心预计明年将吞噬全球60%以上的存储产能，这个时间窗口对长鑫来说至关重要。

　　HBM市场的爆发式增长给长鑫提供了换道超车的机遇，不必在传统DRAM市场跟三星、SK海力士死磕价格，而是在高附加值领域寻找突破口。

　　当然差距还在。长鑫仍靠DUV多重曝光扛16纳米节点，而三星和SK海力士已经进入12到14纳米的EUV节点。HBM堆叠良率大约60%，跟国际巨头80%的水平还有距离。

　　但趋势已经很明显了，中国存储正在从拼命追赶变成正面较量。从追赶者到竞争者这个身份的转变，意味着整个产业的竞争格局正在发生深刻变化。

　　长鑫用键合DRAM证明了一件事。在半导体这个行业，设备封锁从来不是终点，只是换一条路走的起点。多重曝光加先进封装这条路中国走通了。

　　从长江存储的Xtacking到长鑫的键合DRAM，中国存储双雄正在多条战线同时逼近韩国。韩国媒体从轻视到忌惮的态度转变，恰恰说明他们嗅到了危险的气息。

　　这场存储芯片的攻守易位才刚刚拉开序幕，未来的较量会比想象中更加激烈。中国存储产业用十年时间走完了别人三十年的路，剩下的差距需要更多时间和耐心去填补。

　　当长鑫的键合DRAM全线量产的那一天，全球存储市场的版图将迎来一次真正的重构。EUV从来就不是工艺的天花板，它只是韩国企业依靠政治屏障维持优势的一堵墙，而墙终究会倒。返回搜狐，查看更多